Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 43А; 71Вт; PG-TO262-3

Name: Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 43А; 71Вт; PG-TO262-3
Brand: INFINEON TECHNOLOGIES
SKU: IPI180N10N3GXKSA1
Price: 69.06 UAH
Availability: InStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Термін постачання: 3 тижні

Код товару: IPI180N10N3GXKSA1

69,06 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Код товару:

IPI180N10N3GXKSA1

Виробник:

INFINEON TECHNOLOGIES

Вид каналу:

збагачений

Корпус:

PG-TO262-3

Монтаж:

THT

Напруга затвор-джерело:

±20В

Напруга сток-джерело:

100В

Опір в стані провідності:

18мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

71Вт

Струм стока:

43А

Технологія:

OptiMOS™ 3

Тип транзистора:

N-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 600В; 26А; 300Вт; TO247

266,09 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Корпус:
TO247

Монтаж:
THT

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,5А; Idm: 1,2А; 0,83Вт; TO92

24,71 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
TO92

Монтаж:
THT

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 38,5А; 417Вт; TO220AB

134,31 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
75нКл

Корпус:
TO220AB

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; 600В; 61А; 568Вт; TO247-3

346,55 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
76нКл

Корпус:
TO247-3

Монтаж:
THT

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; 650В; 30А; 86Вт

202,10 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
90нКл

Монтаж:
THT

Напруга затвор-джерело:
±20В

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 600В; 10А; 30Вт

221,11 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Корпус:
TO220FP

Монтаж:
THT

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; 650В; 24А; 74Вт; TO3PF

282,56 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
45нКл

Корпус:
TO3PF

Монтаж:
THT