Транзистор: N-MOSFET; 60В; 100А; 150Вт; D2PAK,TO263

Немає в наявності
Код товару: SQM50034E_GE3
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 800
Крок додавання: 800
Код товару: SQM50034E_GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 90нКл
Корпус: D2PAK; TO263
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: 20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 3,9мОм
Потужність розсіювання: 150Вт
Структура напівпровідника: одиночний транзистор
Струм стока: 100А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: поліімідний; ECQE; 0,18мкФ; 400ВDC; 18,5x5,4x17,5мм
Конденсатор: поліімідний; ECQE; 0,18мкФ; 400ВDC; 18,5x5,4x17,5мм

7,48 грн

Допуск:
±10%
Ємність:
0,18мкФ
Монтаж:
THT
Растр виводів:
5мм
Недоступний
Діод: TVS; 0,6кВт; 233÷258В; 1,8А; двоспрямована; SMB; SMBJ
Діод: TVS; 0,6кВт; 233÷258В; 1,8А; двоспрямована; SMB; SMBJ

5,39 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
210В
Корпус:
SMB
Монтаж:
SMD
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 28кБ; 32МГц; 2,3÷5,5ВDC; SMD; UQFN20; PIC16
IC: мікроконтролер PIC; 28кБ; 32МГц; 2,3÷5,5ВDC; SMD; UQFN20; PIC16

73,49 грн

Вид архітектури:
Harvard 8бит
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); CCP x4; CLC x4; CWG x2; NCO; PMD; PoR; PPS
Генератор вбудований:
32кГц; 32МГц
Недоступний
Діод: TVS; 400Вт; 71,1÷78,9В; двоспрямована; ±5%; SMA; P4SMAJ
Діод: TVS; 400Вт; 71,1÷78,9В; двоспрямована; ±5%; SMA; P4SMAJ

8,11 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
64В
Корпус:
SMA
Недоступний
Провід; LiYD11Y; UNITRONIC® LiYD11Y; 2x0,25мм2; PUR; чорний; 250В
Провід; LiYD11Y; UNITRONIC® LiYD11Y; 2x0,25мм2; PUR; чорний; 250В

155,85 грн

Будова екрану:
екранований; обплітка з мідного дроту
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Вид кабелю:
LiYD11Y
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 12пФ; 630В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 12пФ; 630В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0805

1,09 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 7,5А; 59,5Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 7,5А; 59,5Вт; PG-TO252-3

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±16В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 33А; 235Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 33А; 235Вт; D2PAK

145,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
48нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 44А; 135Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 44А; 135Вт; DPAK

117,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
36нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11А; 2,5Вт; SO8

62,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 34А; 74Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 34А; 74Вт

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 13,5А; 83Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 13,5А; 83Вт; TO252

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 900В; 6А; Idm: 24А; 100Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 900В; 6А; Idm: 24А; 100Вт

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
86,2нКл
Корпус:
TO263