Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 60В; 141А; 113Вт

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: SQS160ELNW-T1_GE3
27,24 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1888
Крок додавання: 1888
Код товару: SQS160ELNW-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 47нКл
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Потужність розсіювання: 113Вт
Струм стока: 141А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Транзистор: PNP; біполярний; 45В; 0,5А; 0,225Вт; SOT23,TO236AB
Транзистор: PNP; біполярний; 45В; 0,5А; 0,225Вт; SOT23,TO236AB

1,77 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Корпус:
SOT23; TO236AB
Монтаж:
SMD
68пФ; 500ВDC; THT; ±5%; 5,9мм; Вив: радіальні; -55÷125°C
68пФ; 500ВDC; THT; ±5%; 5,9мм; Вив: радіальні; -55÷125°C

108,97 грн

Виводи:
радіальні
Довжина відводів:
5,9мм
Допуск:
±5%
Ємність:
68пФ
Недоступний
Діод: зенера; 1,25Вт; 180В; DO41; 1мкА; Ufmax: 1,2В
Діод: зенера; 1,25Вт; 180В; DO41; 1мкА; Ufmax: 1,2В

323,75 грн

Допуск:
±2%
Зенерівська напруга:
180В
Корпус:
DO41
Монтаж:
THT
Резистор: thick film; 33Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; 100ppm/°C
Резистор: thick film; 33Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; 100ppm/°C

5,07 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Опір:
33Ом
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,17А; 0,225Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,17А; 0,225Вт; SOT23

13,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; 0,36Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; 0,36Вт; SOT23

20,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 250В; 12А; Idm: 68А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 250В; 12А; Idm: 68А

91,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
29,3нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 60А; Idm: 140А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 60А; Idm: 140А

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
51нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 120А; 188Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 120А; 188Вт; PG-TO263-3

159,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-JFET; польовий; 2мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 2мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА

23,44 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-35В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 80А; 300Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 80А; 300Вт; D2PAK; ESD

183,73 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD