Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 60В; 7,5Вт; PowerPAK® 1212-8

Немає в наявності
Код товару: SIS4608DN-T1-GE3
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SIS4608DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 20нКл
Корпус: PowerPAK® 1212-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Потужність розсіювання: 7,5Вт
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 931Ом; SMD; 0805; 0,125Вт; ±1%; 150В
Резистор: thick film; 931Ом; SMD; 0805; 0,125Вт; ±1%; 150В

0,98 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Диференційний вимикач; Iном: 10А; Iдіф: 30мА; Полюси: 3+N; 240ВAC
Диференційний вимикач; Iном: 10А; Iдіф: 30мА; Полюси: 3+N; 240ВAC

12064,13 грн

Вид вимикача:
тип AC
Відключаюча здатність кор. замикання:
6кА
Диференціальний струм:
30мА
Кількість полюсів:
3+N
Недоступний
Резистор: thin film; 673Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 673Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,22 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 13кОм; SMD; 1210; 750мВт; ±1%; HP; 200В
Резистор: thick film; 13кОм; SMD; 1210; 750мВт; ±1%; HP; 200В

1,69 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Недоступний
Тиристор: стандартний; 800В; Ifмакс: 16А; 10А; Igt: 25мА; D2PAK; SMD
Тиристор: стандартний; 800В; Ifмакс: 16А; 10А; Igt: 25мА; D2PAK; SMD

22,43 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
0,8кВ
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Недоступний
IC: стабілізатор напруги; LDO,нерегульований; 2,8В; 0,3А; MSOP8
IC: стабілізатор напруги; LDO,нерегульований; 2,8В; 0,3А; MSOP8

62,09 грн

Вид стабілізатора напруги:
LDO; нерегульований
Вид упаковки:
туба
Вихідна напруга:
2,8В
Вихідний струм:
0,3А
Недоступний
Резистор: thin film; 430Ом; SMD; 0402; 60мВт; ±0,1%; TC; 25В
Резистор: thin film; 430Ом; SMD; 0402; 60мВт; ±0,1%; TC; 25В

1,87 грн

Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
50В
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 51А; 54Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 51А; 54Вт; DPAK

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка
Заряд затвора:
11,1нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4А; 400мВт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4А; 400мВт; SOT23

35,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка
Заряд затвора:
8,9нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,3А; 300мВт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,3А; 300мВт; SOT23

19,01 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка
Заряд затвора:
9,5нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 35А; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 35А; DPAK

97,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 1,21А; Idm: 8А; 44Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 1,21А; Idm: 8А; 44Вт; TO252

11,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
8,5нКл
Корпус:
TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 2,5А; Idm: 16А; 77Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 2,5А; Idm: 16А; 77Вт; TO252

24,71 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
13,2нКл
Корпус:
TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,31А; Idm: 1,2А; 0,3Вт; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,31А; Idm: 1,2А; 0,3Вт; ESD

20,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SC70; SOT323
Модель:
ESD