Транзистор: N-MOSFET; 60В; 80А; 96Вт; TO252; автомобільна галузь

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: RD3L08CBLHRBTL
86,16 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 47
Код товару: RD3L08CBLHRBTL
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 32нКл
Корпус: TO252
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 5,3мОм
Потужність розсіювання: 96Вт
Струм стока: 80А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 100Вт; Uвх: 24ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 8,3А; THT
Перетворювач: DC/DC; 100Вт; Uвх: 24ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 8,3А; THT

7329,58 грн

Вихідна напруга:
12В DC
Вихідний струм:
8,3А
Вхідна напруга:
24В DC
Захист:
від короткого замикання SCP; макс. струму OCP; проти короткого замикання OVP
Недоступний
Резистор: thick film; 360Ом; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; NQ; 200В
Резистор: thick film; 360Ом; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; NQ; 200В

2,07 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Недоступний
IC: цифровий; буфер; Ch: 8; CMOS; SMD; VSSOP20; -40÷85°C; HCS; 2÷6ВDC
IC: цифровий; буфер; Ch: 8; CMOS; SMD; VSSOP20; -40÷85°C; HCS; 2÷6ВDC

10,77 грн

Вид об'єднаної схеми:
буфер
Вид упаковки:
cтрічка; котушка
Кількість каналів:
8
Корпус:
VSSOP20
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,3нФ; 500В; X7R; ±10%; SMD; 1210
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,3нФ; 500В; X7R; ±10%; SMD; 1210

2,74 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
3,3нФ
Недоступний
Резистор: thick film; 2,8кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; CQ; 150В
Резистор: thick film; 2,8кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; CQ; 150В

0,13 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Резистор: metal oxide; 12кОм; THT; 500мВт; ±5%; 10x4мм; осьові
Резистор: metal oxide; 12кОм; THT; 500мВт; ±5%; 10x4мм; осьові

1,08 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
4мм
Довжина:
10мм
Допуск:
±5%
Недоступний
Резистор: thick film; 91кОм; SMD; 1210; 750мВт; ±5%; AS; 200В
Резистор: thick film; 91кОм; SMD; 1210; 750мВт; ±5%; AS; 200В

2,27 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 25В; 415А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 25В; 415А

133,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
200нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-12...16В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,31А; Idm: 1,2А; 0,26Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,31А; Idm: 1,2А; 0,26Вт

8,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,6нКл
Корпус:
SOT323
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 2А; 2,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 2А; 2,1Вт; SOT223

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 85А; 104Вт; PQFN5X6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 85А; 104Вт; PQFN5X6

98,20 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Заряд затвора:
92нКл
Корпус:
PQFN5X6