Транзистор: N-MOSFET; 650В; 11,4А; 104,2Вт; TO220-3

Немає в наявності
Код товару: IPP65R310CFDXKSA2
65,26 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 500
Крок додавання: 500
Код товару: IPP65R310CFDXKSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 41нКл
Корпус: TO220-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: 20В
Напруга сток-джерело: 650В
Потужність розсіювання: 104,2Вт
Струм стока: 11,4А
Технологія: CoolMOS™
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Трансформатор: струмовий; Iвх: 2кА; Iвих: 1А; Øвнутр: 73мм
Трансформатор: струмовий; Iвх: 2кА; Iвих: 1А; Øвнутр: 73мм

3213,38 грн

Вихідний струм:
1А
Вхідний струм:
2кА
Діаметр внутрішній:
73мм
Клас точності:
0,2 @max 30ВА; 0,5 @max 60ВА; 1 @max 60ВА
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 53А; 391Вт; PG-TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 53А; 391Вт; PG-TO247-3

459,96 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
PG-TO247-3
Монтаж:
THT
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1нФ; 500ВDC; NP0; ±5%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1нФ; 500ВDC; NP0; ±5%; SMD; 1206

1,93 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
NP0
Допуск:
±5%
Ємність:
1нФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 560пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 560пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD

0,29 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
IC: Oпераційний підсилювач; 5,5МГц; Ch: 4; 2,5÷5,5ВDC; SO14; 2мВ
IC: Oпераційний підсилювач; 5,5МГц; Ch: 4; 2,5÷5,5ВDC; SO14; 2мВ

66,52 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
low power; rail-to-rail
Вхідна напруга зміщення нуля:
2мВ
Вхідний поляризаційний струм:
0,18мкА
Недоступний
Діод: TVS; 0,4кВт; 40,9В; 7А; двоспрямована; SMA; P4SMA
Діод: TVS; 0,4кВт; 40,9В; 7А; двоспрямована; SMA; P4SMA

26,61 грн

Зворотна напруга макс.:
36,8В
Корпус:
SMA
Монтаж:
SMD
Напруга пробою:
40,9В
Недоступний
Резистор: thick film; 43,2Ом; SMD; 0805; 500мВт; ±1%; ERJHP6F
Резистор: thick film; 43,2Ом; SMD; 0805; 500мВт; ±1%; ERJHP6F

2,28 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 40А; Idm: 112А; 266Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 40А; Idm: 112А; 266Вт; TO220-3

419,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
80нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 56А; 48Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 56А; 48Вт; TO220FP

142,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
113,3нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 33А; 140Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 33А; 140Вт; TO220AB

81,73 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
47,3нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 3,9А; Idm: 25А; 125Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 3,9А; Idm: 25А; 125Вт; TO220AB

84,90 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
60нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 35А; 300Вт; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 35А; 300Вт; TO247AC

151,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
234нКл
Корпус:
TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 65А; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 65А; TO220AB

129,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220AB
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 89А; 130Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 89А; 130Вт; TO220AB

114,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
65,3нКл