1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 53А; 391Вт; PG-TO247-3

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 53А; 391Вт; PG-TO247-3
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IPW60R070C6FKSA1
459,96 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IPW60R070C6FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Корпус: PG-TO247-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 70мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 391Вт
Струм стока: 53А
Технологія: CoolMOS™ C6
Тип транзистора: N-MOSFET
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1нФ; 500ВDC; NP0; ±5%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1нФ; 500ВDC; NP0; ±5%; SMD; 1206

1,93 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
NP0
Допуск:
±5%
Ємність:
1нФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 560пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 560пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD

0,29 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
IC: Oпераційний підсилювач; 5,5МГц; Ch: 4; 2,5÷5,5ВDC; SO14; 2мВ
IC: Oпераційний підсилювач; 5,5МГц; Ch: 4; 2,5÷5,5ВDC; SO14; 2мВ

66,52 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
low power; rail-to-rail
Вхідна напруга зміщення нуля:
2мВ
Вхідний поляризаційний струм:
0,18мкА
Недоступний
Діод: TVS; 0,4кВт; 40,9В; 7А; двоспрямована; SMA; P4SMA
Діод: TVS; 0,4кВт; 40,9В; 7А; двоспрямована; SMA; P4SMA

26,61 грн

Зворотна напруга макс.:
36,8В
Корпус:
SMA
Монтаж:
SMD
Напруга пробою:
40,9В
Недоступний
Резистор: thick film; 43,2Ом; SMD; 0805; 500мВт; ±1%; ERJHP6F
Резистор: thick film; 43,2Ом; SMD; 0805; 500мВт; ±1%; ERJHP6F

2,28 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,5нФ; 100В; U2J; ±5%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,5нФ; 100В; U2J; ±5%; SMD; 0603

2,33 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
U2J
Допуск:
±5%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD

1,41 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
8пФ
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 44А; Idm: 176А; 329Вт; TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 44А; Idm: 176А; 329Вт; TO247-3

692,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
57нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 34А; Idm: 90А; 270Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 34А; Idm: 90А; 270Вт

1498,99 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
105нКл
Корпус:
HIP247™
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M6; польовий; 600В; 45А; Idm: 288А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M6; польовий; 600В; 45А; Idm: 288А

476,43 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
106нКл
Корпус:
TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 18А; Idm: 676А; 37Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 18А; Idm: 676А; 37Вт; TO220FP

344,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
130нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 5А; Idm: 20А
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 5А; Idm: 20А

51,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
10,5нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 280В; 26А; Idm: 104А
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 280В; 26А; Idm: 104А

78,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
24,5нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 34,8А; Idm: 220А; 48Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 34,8А; Idm: 220А; 48Вт; TO220FP

126,71 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
37нКл
Корпус:
TO220FP