Транзистор: N-MOSFET; 650В; 80А; Idm: 80А; 890Вт; D3PAK,TO268; 200нс

Немає в наявності
Код товару: IXFT80N65X2HV-TRL
600,61 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 400
Крок додавання: 400
Код товару: IXFT80N65X2HV-TRL
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 0,14мкКл
Корпус: D3PAK; TO268
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: 30В
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 38мОм
Потужність розсіювання: 890Вт
Струм стока: 80А
Струм стоку в імпульсі: 80А
Технологія: HiPerFET™
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 200нс
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 39пФ; 100В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 39пФ; 100В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0603

0,91 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±1%
Недоступний
Резистор: thick film; 22Ом; THT; TO220; 50Вт; ±5%; 500В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 22Ом; THT; TO220; 50Вт; ±5%; 500В; -55÷155°C

440,32 грн

Властивості резисторів:
необхідний додатковий радіатор
Допуск:
±5%
Корпус:
TO220
Монтаж:
THT
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,5пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,5пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; 0201

0,15 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
3,5пФ
Недоступний
Резистор: thick film; 2,7кОм; 1210; 500мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 2,7кОм; 1210; 500мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C

0,18 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1210
Корпус - мм:
3225
Опір:
2,7кОм
Недоступний
Резистор: thick film; 560кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; NS; 200В
Резистор: thick film; 560кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; NS; 200В

0,84 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Patch cord; F/UTP; Cat 6; 1м; тросик; Cu; LSZH; 26/7AWG
Patch cord; F/UTP; Cat 6; 1м; тросик; Cu; LSZH; 26/7AWG

466,93 грн

Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Вид кабелю:
F/UTP
Вид матеріалу:
негалогенний
Трансформатор: литий; 50ВА; 230ВAC; 24В; Вив: затискна планка; IP00
Трансформатор: литий; 50ВА; 230ВAC; 24В; Вив: затискна планка; IP00

1751,14 грн

Виводи:
затискна планка
Відповідність стандарту:
PN EN 61558-2-1; PN EN 61558-2-4; PN EN 61558-2-6
Вторинна напруга 1:
24В
Зовнішні розміри:
94x58,5x61мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100А; 272Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100А; 272Вт

107,70 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
70нКл
Транзистор: N-MOSFET; 30В; 13Вт; HSMT8
Транзистор: N-MOSFET; 30В; 13Вт; HSMT8

16,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
8,9нКл
Корпус:
HSMT8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; GigaMOS™; польовий; 300В; 102А; Idm: 440А
Транзистор: N-MOSFET; GigaMOS™; польовий; 300В; 102А; Idm: 440А

1756,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
367нКл
Корпус:
SMPD
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 120А; Idm: 790А; 230Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 120А; Idm: 790А; 230Вт; D2PAK

161,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
75нКл
Транзистор: N-MOSFET; 30В; 11А; 1,5Вт
Транзистор: N-MOSFET; 30В; 11А; 1,5Вт

17,61 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
22нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: N-MOSFET; 650В; 11А; 124Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; 650В; 11А; 124Вт; PG-TO263-3

148,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
32нКл
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 120мА; Idm: 760мА; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 120мА; Idm: 760мА; ESD

6,97 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
0,43нКл