Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 120А; Idm: 790А; 230Вт; D2PAK

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IRL1404ZSTRLPBF
161,56 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IRL1404ZSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: ролик
Властивості напівпровідникових елементів: logic level
Заряд затвора: 75нКл
Корпус: D2PAK
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±16В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 3,1мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 230Вт
Струм стока: 120А
Струм стоку в імпульсі: 790А
Технологія: HEXFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Перетворювач: DC/DC; 300Вт; Uвх: 48ВDC; Iвих: 25А; Quarter Brick
Перетворювач: DC/DC; 300Вт; Uвх: 48ВDC; Iвих: 25А; Quarter Brick

3134,19 грн

Вихідна напруга:
12В
Вихідний струм:
25А
Вхідна напруга:
48В DC
Додаткові функції:
дистанційне управління ON/OFF
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 31; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 31; SMT; 3A; 250V

256,59 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
7,4мм
Недоступний
IC: цифровий потенціометр; 4-wire,SPI; 50кОм; 8бит; TSSOP16; SMD
IC: цифровий потенціометр; 4-wire,SPI; 50кОм; 8бит; TSSOP16; SMD

363,66 грн

Max DNL:
±0,25LSB
Max INL:
±0,5LSB
Вид пам’яті:
енергозал.
Вид упаковки:
туба
Недоступний
Резистор: thin film; 3,92кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; TC; 75В
Резистор: thin film; 3,92кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; TC; 75В

0,56 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Панель HMI; 7"; 800x480; 18÷32ВDC; IP66; 0÷50°C; фотоелектрика
Панель HMI; 7"; 800x480; 18÷32ВDC; IP66; 0÷50°C; фотоелектрика

22482,92 грн

Вид вжитого дисплея:
LCD TFT
Використання:
фотоелектрика
Діагональ екрану:
7"
Інтерфейс:
Ethernet; RS232; RS422; RS485; USB
Недоступний
Резистор: thick film; 475кОм; SMD; 0805; 250мВт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 475кОм; SMD; 0805; 250мВт; ±1%; -55÷155°C

0,16 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
1220
Недоступний
Провід; LiYCY-P; PAAR-TRONIC-CY; 16x2x0,75мм2; ПВХ; сірий; 350В
Провід; LiYCY-P; PAAR-TRONIC-CY; 16x2x0,75мм2; ПВХ; сірий; 350В

1044,10 грн

Bластивості проводів:
жили скручені попарно
Будова екрану:
екранований; обплітка з луджених мідних дротів
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; 80В; 120А; 250Вт; H2PAK-2
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; 80В; 120А; 250Вт; H2PAK-2

96,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
0,12мкКл
Корпус:
H2PAK-2
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8

29,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
24,1нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 50А; 63Вт; VSONP8; 5x6мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 50А; 63Вт; VSONP8; 5x6мм

74,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
VSONP8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 50А; Idm: 167А; 2,7Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 50А; Idm: 167А; 2,7Вт

70,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
3,9нКл
Корпус:
VSON-CLIP8