Транзистор: N-MOSFET; AlphaSGT™; польовий; 100В; 184А; Idm: 670А

Немає в наявності
Код товару: AONS66916T
120,38 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: AONS66916T
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 67нКл
Корпус: DFN5x6
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 3,6мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 129Вт
Струм стока: 184А
Струм стоку в імпульсі: 670А
Технологія: AlphaSGT™
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Connector: IDC; socket; male; data; PIN: 5; P1200; straight; THT; 1x5
Connector: IDC; socket; male; data; PIN: 5; P1200; straight; THT; 1x5

22,36 грн

Connector family:
data
Виводи:
ззаду
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; Iвих: 15А; SMT; 12x11x5,3мм; ККД: 95%; OUT: 1; IT
Перетворювач: DC/DC; Iвих: 15А; SMT; 12x11x5,3мм; ККД: 95%; OUT: 1; IT

0,00 грн

Використання:
IT
Вихідна напруга:
0,5...5В
Вихідний струм:
15А
Захист:
від короткого замикання SCP; захист від зниженого напруги UVLO; макс. струму OCP; проти короткого замикання OVP
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 5A; Ø: 2mm; GKS-112; CuBe; 0.8N; push-in; 20mΩ
Test probe: ICT/FCT; 5A; Ø: 2mm; GKS-112; CuBe; 0.8N; push-in; 20mΩ

261,02 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
5,3мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
2мм
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 560мкФ; 50ВDC; ±20%
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 560мкФ; 50ВDC; ±20%

67,16 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Висота:
20мм
Діаметр:
12,5мм
Допуск:
±20%
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 31,6кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В
Резистор: вуглецевий; 31,6кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В

9,88 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
2,2мм
Діаметр роліка макс.:
330мм
Довжина:
5,8мм
Недоступний
Провід: для сервоприводів; ÖLFLEX® SERVO 719 CY; гибридний; Cu
Провід: для сервоприводів; ÖLFLEX® SERVO 719 CY; гибридний; Cu

985,18 грн

Iнформація:
Маркування UL лише на повній заводській упаковці
Будова екрану:
обплітка з луджених мідних дротів; плівка AL-PET; потрійно екрановані
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Резистор: thick film; 1206; 400мВт; ±1%; -55÷155°C; 100ppm/°C
Резистор: thick film; 1206; 400мВт; ±1%; -55÷155°C; 100ppm/°C

1,32 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,3А; 0,5Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,3А; 0,5Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±8В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,4А; Idm: 10А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,4А; Idm: 10А; 1,25Вт; SOT23

36,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
6нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 47Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 47Вт; PG-TO252-3

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3

291,43 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 56А; 310Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 56А; 310Вт; D2PAK

215,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
82нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,5А; 4,5Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,5А; 4,5Вт; DFN3x3 EP

15,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7,1нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 39А; 33Вт; DFN3.3x3.3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 39А; 33Вт; DFN3.3x3.3 EP

25,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
21,3нКл
Корпус:
DFN3.3x3.3 EP
Монтаж:
SMD