Транзистор: N-MOSFET; AlphaSGT™; польовий; 100В; 22,5А; 8,3Вт

Немає в наявності
Код товару: AOTF66920L
33,26 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1000
Крок додавання: 1000
Код товару: AOTF66920L
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 50нКл
Корпус: TO220FP
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 8,2мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 8,3Вт
Струм стока: 22,5А
Технологія: AlphaSGT™
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 0402; 3,5нГн; 1950мА; R: 0,03Ом; ±2%; LQW
Реактор: дротяний; SMD; 0402; 3,5нГн; 1950мА; R: 0,03Ом; ±2%; LQW

4,31 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±2%
Індуктивність:
3,5нГн
Корпус - дюйм:
0402
Транзистор: NPN; біполярний; 50В; 0,1А; 200мВт; SOT323F
Транзистор: NPN; біполярний; 50В; 0,1А; 200мВт; SOT323F

12,67 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT323F
Монтаж:
SMD
Напруги колектор-емітер:
50В
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 18; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 18; THT; 3A; 250V

126,71 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
8,6мм
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 1,65кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В
Резистор: вуглецевий; 1,65кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В

9,88 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
2,2мм
Діаметр роліка макс.:
180мм
Довжина:
5,8мм
Конденсатор: керамічний; 68нФ; 50В; X7R; ±10%; 1206
Конденсатор: керамічний; 68нФ; 50В; X7R; ±10%; 1206

8,87 грн

Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
68нФ
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Резистор: thick film; 51кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±5%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 51кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±5%; -55÷155°C

0,06 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Недоступний
Знак безпеки; вимога; ПВХ; W: 200мм; H: 200мм
Знак безпеки; вимога; ПВХ; W: 200мм; H: 200мм

0,00 грн

Вид знаку:
вимога
Висота:
200мм
Відповідність стандарту:
PN EN ISO 7010:2012
Матеріал:
ПВХ
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 9,6А; Idm: 39А; 34Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 9,6А; Idm: 39А; 34Вт; TO220FP

176,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
76нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 13А; Idm: 51А; 208Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 13А; Idm: 51А; 208Вт; TO220AB

219,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
89нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 650В; 4,4А; Idm: 28А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 650В; 4,4А; Idm: 28А

116,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
12,5нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; польовий; 100В; 120А; Idm: 720А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; польовий; 100В; 120А; Idm: 720А

236,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
180нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; польовий; 600В; 21А; Idm: 136А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; польовий; 600В; 21А; Idm: 136А

325,01 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
56нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ EM; польовий; 600В; 48А; Idm: 295А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ EM; польовий; 600В; 48А; Idm: 295А

1179,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
142нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 10,5А; Idm: 40А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 10,5А; Idm: 40А

157,12 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
22,1нКл
Корпус:
TO220-3