Транзистор: N-MOSFET; AlphaSGT™; польовий; 100В; 380А; Idm: 1520А

Немає в наявності
Код товару: AOTL66912
126,08 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2000
Крок додавання: 2000
Код товару: AOTL66912
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 155нКл
Корпус: TOLLA
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 1,7мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 250Вт
Струм стока: 380А
Струм стоку в імпульсі: 1520А
Технологія: AlphaSGT™
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 390мА; Idm: 1,5А; 200мВт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 390мА; Idm: 1,5А; 200мВт

34,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Заряд затвора:
0,95нКл
Корпус:
SOT363
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 150Вт; Uвх: 9÷36ВDC; Uвих: 5ВDC; Iвих: 30А; THT
Перетворювач: DC/DC; 150Вт; Uвх: 9÷36ВDC; Uвих: 5ВDC; Iвих: 30А; THT

6110,63 грн

Вихідна напруга:
5В DC
Вихідний струм:
30А
Вхідна напруга:
9...36В DC
Захист:
від короткого замикання SCP; перегрівання OTP; протиперевантажувальні OPP
Недоступний
Резистор: thick film; 910Ом; SMD; 1225; 2Вт; ±5%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 910Ом; SMD; 1225; 2Вт; ±5%; CRW; -55÷155°C

2,43 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1225
Корпус - мм:
3264
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 243Ом; 2512; 1Вт; ±5%; CRT; -55÷155°C; 2А
Резистор: thick film; 243Ом; 2512; 1Вт; ±5%; CRT; -55÷155°C; 2А

0,59 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6332
Опір:
243Ом
Недоступний
Запобіжник: полімерний PTC; THT; 160мА; Iмакс: 2А; 0ZRE
Запобіжник: полімерний PTC; THT; 160мА; Iмакс: 2А; 0ZRE

13,18 грн

Застосування запобіжників:
автомобільні застосування
Максимальна напруга:
240В DC
Максимальний струм:
2А
Монтаж:
THT
Недоступний
Діод: випрямний; THT; 50В; 1А; Ifsm: 50А; DO15,DO204AC; ролик
Діод: випрямний; THT; 50В; 1А; Ifsm: 50А; DO15,DO204AC; ролик

3,67 грн

Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Зворотна напруга макс.:
50В
Корпус:
DO15; DO204AC
Недоступний
Конденсатор: танталовий; 4,7мкФ; 16ВDC; SMD; B; 1210; ±10%; TPS
Конденсатор: танталовий; 4,7мкФ; 16ВDC; SMD; B; 1210; ±10%; TPS

16,35 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±10%
Ємність:
4,7мкФ
Корпус:
B
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 60А; 48Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 60А; 48Вт; PowerPAK® SO8

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
150нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
1,2кВ; SiC; Модуль: транзисторний MOSFET
1,2кВ; SiC; Модуль: транзисторний MOSFET

5574,64 грн

Напруга сток-джерело:
1,2кВ
Технологія:
SiC
Тип напівпровідникового модуля:
транзисторний MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 278Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 278Вт; PowerPAK® SO8

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
105нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,7А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,7А; 1,25Вт; SOT23

33,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 5,8А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 5,8А; 1,25Вт; SOT23

17,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
5,4нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 350мА; Idm: 1А; 2,5Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 350мА; Idm: 1А; 2,5Вт; TO252

38,01 грн

Вид каналу:
збіднений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 1,2кВ; 43А; 234Вт; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; 1,2кВ; 43А; 234Вт; автомобільна галузь

304,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
32,8нКл
Монтаж:
SMD