Транзистор: N-MOSFET; AlphaSGT™; польовий; 40В; 85А; Idm: 200А; 19Вт

Name: Транзистор: N-MOSFET; AlphaSGT™; польовий; 40В; 85А; Idm: 200А; 19Вт
Brand: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
SKU: AONS66408
Price: 25.15 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: AONS66408

25,15 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 3000

Крок додавання: 3000

Код товару:

AONS66408

Виробник:

ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик

Заряд затвора:

36,2нКл

Корпус:

DFN5x6

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±20В

Напруга сток-джерело:

40В

Опір в стані провідності:

3,1мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

19Вт

Струм стока:

85А

Струм стоку в імпульсі:

200А

Технологія:

AlphaSGT™

Тип транзистора:

N-MOSFET

Переглянуті товари

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,64А; 0,45Вт; SOT723

6,97 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
SOT723

Монтаж:
SMD

Недоступний

Бажані

Універсальний шарнір; 1"; максимальний кут відхилення 35°

6890,53 грн

Type of socket accessories:
універсальний шарнір

Властивості інструментів:
максимальний кут відхилення 35°

Розмір гнізда тримача - дюйм:
1"

Недоступний

Бажані

Запобіжник: полімерний PTC; THT; 2,5А; Iмакс: 40А; MF-RX/72

32,50 грн

Вид упаковки:
розсипний

Застосування запобіжників:
стандартні застосування

Максимальна напруга:
72В

Максимальний струм:
40А

Недоступний

Бажані

Резистор: thick film; 56кОм; SMD; 1206; 500мВт; ±1%; CRGP

2,62 грн

Допуск:
±1%

Корпус - дюйм:
1206

Корпус - мм:
3216

Монтаж:
SMD

Недоступний

Бажані

Датчик: лазерний; PNP/NPN NO/NC; приймач-передавач (щілинний)

28326,82 грн

Важлива інформація:
Увага! Лазерне випромінювання! Дотримуйтесь правил безпеки. Не дивитися прямо в джерело лазерного світла.

Глибина:
28мм

Кількість пін:
4

Клас герметичності:
IP67

Недоступний

Бажані

IC: мікроконтролер PIC; 32кБ; 64МГц; I2C,SPI,UART,USART; SMD; туба

84,90 грн

Вид упаковки:
туба

Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); DMA; HLVD; PoR

Інтерфейс:
I2C; SPI; UART; USART

Кількість входів/виходів:
35

Недоступний

Бажані

Датчик: відстані; на відбиття; Дальність: 30÷130мм; 12÷28ВDC; OADR

198806,00 грн

Дальність:
30...130мм

Зовнішні розміри:
20,3x65x51мм

Кількість пін:
8

Клас герметичності:
IP68; IP69K

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,7А; 32Вт; PG-TO252-3; ESD

77,93 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
PG-TO252-3

Модель:
ESD

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 52А; 357Вт; D2PAK

176,76 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
63нКл

Корпус:
D2PAK

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; 0,5Вт; SuperSOT-3

31,04 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Властивості напівпровідникових елементів:
logic level

Заряд затвора:
6,3нКл

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,6А; 2,5Вт; SO8

43,08 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
30нКл

Корпус:
SO8

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,4А; 56,8Вт; TO252

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
9,5нКл

Корпус:
TO252

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 9,75А; 83Вт; DPAK

102,00 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
26нКл

Корпус:
DPAK

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 25А; 115Вт; D2PAK; ESD

102,64 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
D2PAK

Модель:
ESD