Транзистор: N-MOSFET; AlphaSGT™; польовий; 60В; 58А; Idm: 125А; 21Вт

Name: Транзистор: N-MOSFET; AlphaSGT™; польовий; 60В; 58А; Idm: 125А; 21Вт
Brand: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
SKU: AOD66620
Price: 25.98 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: AOD66620

25,98 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 2500

Крок додавання: 2500

Код товару:

AOD66620

Виробник:

ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик

Заряд затвора:

16нКл

Корпус:

TO252

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±20В

Напруга сток-джерело:

60В

Опір в стані провідності:

8,5мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

21Вт

Струм стока:

58А

Струм стоку в імпульсі:

125А

Технологія:

AlphaSGT™

Тип транзистора:

N-MOSFET

Переглянуті товари

Бажані

Резистор: thin film; 6,65кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; ERA3AEB

4,43 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200

Допуск:
±0,1%

Імпульсна макс. напруга:
150В

Корпус - дюйм:
0603

Недоступний

Бажані

Діод: TVS; 400Вт; 111÷123В; 2,5А; двоспрямована; ±5%; DO214AC; SMAJ

11,21 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated

Допуск:
±5%

Зворотна напруга макс.:
0,1кВ

Недоступний

Бажані

Блок живлення: імпульсний; для вбудовування,модульний; 152Вт

4199,19 грн

Вид блоку живлення:
для вбудовування; модульний

Вид корпусу:
916B

Вихідна напруга:
5В DC

Вихідна напруга 2:
15В DC

Недоступний

Бажані

Резистор: thick film; 80,6Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,23 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200

Допуск:
±1%

Корпус - дюйм:
0603

Корпус - мм:
1608

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8

29,40 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
24,1нКл

Корпус:
PowerPAK® 1212-8

Монтаж:
SMD

Недоступний

Бажані

Діод: TVS; 3кВт; 176В; 12,3А; двоспрямована; ±5%; DO214AB; SMDJ

51,32 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated

Допуск:
±5%

Зворотна напруга макс.:
150В

Недоступний

Бажані

IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,регульований; 1,24÷16В

76,66 грн

Вид стабілізатора напруги:
LDO; лінійний; регульований

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Вихідна напруга:
1,24...16В

Вихідний струм:
3А

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 130А; 360Вт; TO263

294,60 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Властивості напівпровідникових елементів:
thrench gate power mosfet

Заряд затвора:
130нКл

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 170А; 360Вт; TO263; 63нс

179,93 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Властивості напівпровідникових елементів:
thrench gate power mosfet

Заряд затвора:
109нКл

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 37А; Idm: 180А; 41,7Вт

25,98 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
9,8нКл

Корпус:
PDFN5060-8

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 260А; Idm: 1040А; 347,2Вт

80,46 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
150нКл

Корпус:
TOLL

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 110А; 480Вт; TO263; 85нс

345,29 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Властивості напівпровідникових елементів:
thrench gate power mosfet

Заряд затвора:
150нКл

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 120В; 65А; Idm: 260А; 96Вт; TO252

42,45 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
30нКл

Корпус:
TO252

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 25А; Idm: 100А; 53,2Вт; TO252

25,98 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
37,9нКл

Корпус:
TO252