Name: Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; польовий; 600В; 4А; Idm: 14А
Brand: INFINEON TECHNOLOGIES
SKU: IPD60R600PFD7SAUMA1
Price: 21.92 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; польовий; 600В; 4А; Idm: 14А

Немає в наявності

Код товару: IPD60R600PFD7SAUMA1

21,92 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 2500

Крок додавання: 2500

Код товару:

IPD60R600PFD7SAUMA1

Виробник:

INFINEON TECHNOLOGIES

Вид каналу:

збагачений

Корпус:

PG-TO252-3

Модель:

ESD

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±20В

Напруга сток-джерело:

600В

Опір в стані провідності:

1,219Ом

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

31Вт

Струм стока:

4А

Струм стоку в імпульсі:

14А

Технологія:

CoolMOS™ PFD7

Тип транзистора:

N-MOSFET

Бажані

Теплопровідна прокладка; слюдяна; TO220; L: 18мм; W: 12мм; прозорий

3,74 грн

Kind of heat transfer pad:
слюдяна

Type of heatsink accessories:
heat transfer pad

Використання:
TO220

Довжина:
18мм

Бажані

Кабель; двоспрямована; USB C гніздо,USB C вилка; позолочений; 2м

847,06 грн

Діаметр жили:
22AWG; 24AWG

Довжина кабелю:
2м

Зовнішній діаметр проводу:
5мм

Ізоляційний матеріал проводу:
TPE

Недоступний

Бажані

Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 38; THT; 3A; 100V

235,05 грн

Connector family:
data

Вид роз’єму:
штекерний

Вид упаковки:
розсипний

Електричний монтаж:
THT

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,3А; 0,5Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
SOT23

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±8В

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,2А; Idm: 27А; 0,4Вт; SOT23

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Використання:
автомобільна галузь

Заряд затвора:
5,1нКл

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 47Вт; PG-TO252-3

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
PG-TO252-3

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±20В

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 40А; Idm: 80А; 40Вт

66,52 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
77нКл

Корпус:
PowerPAK® SO8

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3

291,43 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
PG-TO263-3

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±20В

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 56А; 310Вт; D2PAK

215,41 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
82нКл

Корпус:
D2PAK

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,5А; 4,5Вт; DFN3x3 EP

15,02 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
7,1нКл

Корпус:
DFN3x3 EP

Монтаж:
SMD