1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 40В; 50А; Idm: 200А; 62,5Вт

Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 40В; 50А; Idm: 200А; 62,5Вт
Немає в наявності
Код товару: P50B4EA-5071
47,52 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Код товару: P50B4EA-5071
Виробник: SHINDENGEN
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 52нКл
Корпус: FB (TO252AA)
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 4,5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 62,5Вт
Струм стока: 50А
Струм стоку в імпульсі: 200А
Технологія: EETMOS2
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 54; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 54; SMT; 3A; 250V

504,94 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
туба
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 32; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 32; SMT; 3A; 250V

266,09 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
туба
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвх: 4,5÷9ВDC; Uвих: 9ВDC; Uвих.2: -9ВDC
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвх: 4,5÷9ВDC; Uвих: 9ВDC; Uвих.2: -9ВDC

1025,09 грн

Вихідна напруга:
9В DC
Вихідна напруга 2:
-9В DC
Вихідний струм:
0,111А
Вхідна напруга:
4,5...9В DC
Резистор: thick film; 976Ом; 0603; 100мВт; ±1%; ERJ3EKF; 100ppm/°C
Резистор: thick film; 976Ом; 0603; 100мВт; ±1%; ERJ3EKF; 100ppm/°C

4,43 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Резистор: thick film; 511Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; AC; -55÷155°C
Резистор: thick film; 511Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; AC; -55÷155°C

0,15 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Зовнішні розміри:
1,6x0,8мм
Корпус - дюйм:
0603
Реактор: дротяний; SMD; 0806; 1,5мкГн; ±20%; 80мОм; -40÷150°C
Реактор: дротяний; SMD; 0806; 1,5мкГн; ±20%; 80мОм; -40÷150°C

8,11 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Індуктивність:
1,5мкГн
Корпус - дюйм:
0806
Недоступний
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,регульований; 1,25÷5В
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,регульований; 1,25÷5В

33,58 грн

Вид стабілізатора напруги:
LDO; лінійний; регульований
Вихідна напруга:
1,25...5В
Вихідний струм:
0,15А
Вхідна напруга:
1,75...6В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 7,5А; 59,5Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 7,5А; 59,5Вт; PG-TO252-3

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±16В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 33А; 235Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 33А; 235Вт; D2PAK

145,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
48нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 44А; 135Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 44А; 135Вт; DPAK

117,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
36нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11А; 2,5Вт; SO8

62,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 34А; 74Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 34А; 74Вт

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 13,5А; 83Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 13,5А; 83Вт; TO252

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 3,1А; 104Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 3,1А; 104Вт; TO252

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
11,5нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD