Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 120В; 25А; Idm: 75А; 142Вт

Немає в наявності
Код товару: P25LA12SL-5070
24,39 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Код товару: P25LA12SL-5070
Виробник: SHINDENGEN
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 61нКл
Корпус: LA
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 120В
Опір в стані провідності: 30мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 142Вт
Струм стока: 25А
Струм стоку в імпульсі: 75А
Технологія: EETMOS3
Тип транзистора: N-MOSFET
IC: периферійна схема; нестабільний,годинник; 2,1МГц; 2÷15ВDC
IC: периферійна схема; нестабільний,годинник; 2,1МГц; 2÷15ВDC

60,19 грн

Вид об'єднаної схеми:
годинник; нестабільний
Вид упаковки:
туба
Вихідний струм:
15мА
Контрольована напруга:
1,33В
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Iвих: 200мА; DIP; SMT; 14x14x9мм; ККД: 77%
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Iвих: 200мА; DIP; SMT; 14x14x9мм; ККД: 77%

Використання:
IT
Вихідна напруга:
5В
Вихідний струм:
0,2А
Відповідність стандарту:
EN
Недоступний
Діод: зенера; 1,5Вт; 100В; SMD; 250нА
Діод: зенера; 1,5Вт; 100В; SMD; 250нА

588,57 грн

Допуск:
±5%
Зенерівська напруга:
100В
Монтаж:
SMD
Потужність розсіювання:
1,5Вт
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 1; THT; 3A; 100V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 1; THT; 3A; 100V

5,70 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 32; THT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 32; THT; 1.5A

307,91 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3,3А; 125Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3,3А; 125Вт; D2PAK; ESD

122,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD
Недоступний
Резистор: thin film; 1,74кОм; THT; 250мВт; ±0,1%; Ø2,5x7,2мм
Резистор: thin film; 1,74кОм; THT; 250мВт; ±0,1%; Ø2,5x7,2мм

44,98 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,5мм
Довжина:
7,2мм
Допуск:
±0,1%
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,5А; 0,225Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,5А; 0,225Вт; SOT23

12,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 30В; 5,6А; 1,4Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 30В; 5,6А; 1,4Вт; SOT23

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 2,5А; 70Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 2,5А; 70Вт; DPAK; ESD

119,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 0,9А; 2Вт; TSOP6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 0,9А; 2Вт; TSOP6

35,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
TSOP6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 18А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 18А; 2,5Вт; SO8

98,83 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 37А; 107Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 37А; 107Вт; DPAK

70,96 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 30А; Idm: 160А; 110Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 30А; Idm: 160А; 110Вт; DPAK

60,82 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
48нКл