Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 60В; 60А; Idm: 180А; 62,5Вт

Немає в наявності
Код товару: P60B6SN-5071
26,99 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Код товару: P60B6SN-5071
Виробник: SHINDENGEN
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 55нКл
Корпус: FB (TO252AA)
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 6,7мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 62,5Вт
Струм стока: 60А
Струм стоку в імпульсі: 180А
Технологія: EETMOS3
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 270пФ; 25В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 270пФ; 25В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0201

0,21 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±1%
Перетворювач: AC/DC; 40Вт; Uвх: 90÷264ВAC,120÷370ВDC; Uвих: 5ВDC
Перетворювач: AC/DC; 40Вт; Uвх: 90÷264ВAC,120÷370ВDC; Uвих: 5ВDC

1153,07 грн

Вихідна напруга:
5В DC
Вихідний струм:
8А
Вхідна напруга:
90...264В AC; 120...370В DC
Електричне під'єднування:
THT
Недоступний
Резистор: thin film; 36кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; TC; 75В; 25ppm/°C
Резистор: thin film; 36кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; TC; 75В; 25ppm/°C

0,70 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Диференційний вимикач; Iном: 10А; Iдіф: 30мА; Полюси: 1+N; IP20
Диференційний вимикач; Iном: 10А; Iдіф: 30мА; Полюси: 1+N; IP20

2412,57 грн

Виводи:
гвинтові виводи
Вид вимикача:
тип AC
Відключаюча здатність кор. замикання:
6кА
Диференціальний струм:
30мА
Недоступний
Осердя: феритовий; на плоский кабель; A: 18мм; Б: 14мм; C: 5мм; D: 8мм
Осердя: феритовий; на плоский кабель; A: 18мм; Б: 14мм; C: 5мм; D: 8мм

83,63 грн

Використання феритів:
на плоский кабель
Вимір D:
8мм
Матеріал стержня:
феромагнетик Ni-Zn
Розмір C:
5мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 220нФ; 16В; X7R; ±20%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 220нФ; 16В; X7R; ±20%; SMD; 0402

0,33 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Недоступний
Резистор: thick film; 330Ом; SMD; 1210; 500мВт; ±1%; ERJP14F
Резистор: thick film; 330Ом; SMD; 1210; 500мВт; ±1%; ERJP14F

2,89 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1210
Корпус - мм:
3225
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; Idm: 8А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; Idm: 8А; 1,25Вт; SOT23

12,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,8нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 70А; 2,2Вт; PowerDI®3333-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 70А; 2,2Вт; PowerDI®3333-8

110,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
PowerDI®3333-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 350мА; Idm: 1,2А; 223мВт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 350мА; Idm: 1,2А; 223мВт

11,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1нКл
Корпус:
SOT523
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 700В; 4А; 5Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 700В; 4А; 5Вт; SOT223

29,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,1А; Idm: 16,4А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,1А; Idm: 16,4А; 1,25Вт; SOT23

15,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,6нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 21А; 250Вт; TO263
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 21А; 250Вт; TO263

133,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 10А; 85Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 10А; 85Вт; TO252

34,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD