Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 6,5А; 22,7Вт; TO220FP; ESD

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IPAN70R450P7SXKSA1
50,68 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IPAN70R450P7SXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 13,1нКл
Корпус: TO220FP
Модель: ESD
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±16В
Напруга сток-джерело: 700В
Опір в стані провідності: 0,45Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 22,7Вт
Струм стока: 6,5А
Технологія: CoolMOS™ P7
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10мкФ; 6,3В; X7R; ±10%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10мкФ; 6,3В; X7R; ±10%; SMD; 0805

1,03 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
10мкФ
Недоступний
Резистор: thick film; 430кОм; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 430кОм; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; -55÷155°C

0,95 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6432
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 150нФ; 50В; X8R; ±20%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 150нФ; 50В; X8R; ±20%; SMD; 1206

8,68 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
X8R
Допуск:
±20%
Недоступний
Конденсатор: гибридний; H: 11,7мм; 150мкФ; 25ВDC; 3,5А; THT; ZA-A
Конденсатор: гибридний; H: 11,7мм; 150мкФ; 25ВDC; 3,5А; THT; ZA-A

29,14 грн

Висота:
11,7мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Властивості конденсаторів:
висока довговічність; підвищена температура пайки
Діаметр:
10мм
Резистор: thin film; 270Ом; SMD; MiniMELF; 0204; 0,4Вт; ±1%; 200В
Резистор: thin film; 270Ом; SMD; MiniMELF; 0204; 0,4Вт; ±1%; 200В

4,43 грн

Діаметр:
1,5мм
Довжина:
3,6мм
Допуск:
±1%
Корпус:
MiniMELF
Недоступний
Резистор: thick film; 9,1Ом; SMD; 1206; 500мВт; ±5%; HQ; 200В
Резистор: thick film; 9,1Ом; SMD; 1206; 500мВт; ±5%; HQ; 200В

0,70 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 64А; 1250Вт; TO264
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 64А; 1250Вт; TO264

714,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,19мкКл
Корпус:
TO264
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 22А; 500Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 22А; 500Вт; TO220AB

247,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; X-Class; польовий; 850В; 9,5А; Idm: 50А; 110Вт
Транзистор: N-MOSFET; X-Class; польовий; 850В; 9,5А; Idm: 50А; 110Вт

658,90 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
ultra junction x-class
Заряд затвора:
63нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 22А; 357Вт; ISOPLUS264™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 22А; 357Вт; ISOPLUS264™

700,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
305нКл
Корпус:
ISOPLUS264™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1,2кВ; 13А; 290Вт; ISOPLUS247™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1,2кВ; 13А; 290Вт; ISOPLUS247™

1053,60 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
193нКл
Корпус:
ISOPLUS247™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; Idm: 0,5А; 0,4Вт; TO92
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; Idm: 0,5А; 0,4Вт; TO92

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 7,6А; Idm: 48А; 35Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 7,6А; Idm: 48А; 35Вт; TO220FP

260,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220FP
Модель:
ESD