Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 280В; 6А; Idm: 24А; 35Вт

Немає в наявності
Код товару: P6B28HP2-5071
15,97 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Код товару: P6B28HP2-5071
Виробник: SHINDENGEN
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 5,7нКл
Корпус: FB (TO252AA)
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 280В
Опір в стані провідності: 0,85Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 35Вт
Струм стока: 6А
Струм стоку в імпульсі: 24А
Технологія: Hi-PotMOS2
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
IC: Oпераційний підсилювач; 730кГц; Ch: 1; Uробоча: 1,8÷6В; TDFN8
IC: Oпераційний підсилювач; 730кГц; Ch: 1; Uробоча: 1,8÷6В; TDFN8

41,81 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail; прецизійний
Вхідна напруга зміщення нуля:
0,15мВ
Вхідний поляризаційний струм:
1пА
Недоступний
Connector: pin strips; data; PIN: 57; THT; 3A; vertical; 2.54mm
Connector: pin strips; data; PIN: 57; THT; 3A; vertical; 2.54mm

323,11 грн

Connector family:
data
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
57
Клас горючості:
UL94V-0
Резистор: thick film; 301Ом; SMD; 1206; 500мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 301Ом; SMD; 1206; 500мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C

2,85 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thin film; 517кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%; RN73H; 75В
Резистор: thin film; 517кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%; RN73H; 75В

1,29 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Вентилятор: DC; 50x50x15,5мм; осьовий; 5ВDC; 11,7м3/г; 18,56дБА
Вентилятор: DC; 50x50x15,5мм; осьовий; 5ВDC; 11,7м3/г; 18,56дБА

0,00 грн

Виводи:
проводи x2
Вид вентилятора:
осьовий
Вид підшипника:
кульковий
Двигун вентилятора:
безщітковий DC
Резистор: thick film; 6,2кОм; SMD; 0603; 0,1Вт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 6,2кОм; SMD; 0603; 0,1Вт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,82 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Провід; LiYY A; 5x26AWG; неекранований; 300В; Cu; тросик
Провід; LiYY A; 5x26AWG; неекранований; 300В; Cu; тросик

55,12 грн

Iнформація:
Маркування UL лише на повній заводській упаковці
Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 80А; 242Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 80А; 242Вт; D2PAK

203,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
135нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 1,9А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 1,9А; 0,5Вт; SuperSOT-3

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
5,9нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,8А; 57Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,8А; 57Вт; TO252

38,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6,7нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9,8А; 50Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9,8А; 50Вт; DPAK

83,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
18нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 16А; 90Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 16А; 90Вт; DPAK

138,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
62нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9А; 50Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9А; 50Вт; DPAK; ESD

88,70 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 21А; 100Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 21А; 100Вт; DPAK; ESD

89,33 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD