Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 300В; 9А; Idm: 36А; 54Вт

Немає в наявності
Код товару: P9B30HP2F-5071
26,93 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: P9B30HP2F-5071
Виробник: SHINDENGEN
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 14нКл
Корпус: FB (TO252AA)
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 300В
Опір в стані провідності: 440мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 54Вт
Струм стока: 9А
Струм стоку в імпульсі: 36А
Технологія: Hi-PotMOS2
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; SMD; 15мкФ; 400ВDC; Ø10x16,5мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; SMD; 15мкФ; 400ВDC; Ø10x16,5мм; ±20%

0,00 грн

Висота:
16,5мм
Діаметр:
10мм
Діаметр роліка макс.:
380мм
Допуск:
±20%
Недоступний
Резисторна зборка: X; 22Ом; 125мВт; Кіл-ть резисторів: 8
Резисторна зборка: X; 22Ом; 125мВт; Кіл-ть резисторів: 8

0,00 грн

Кількість резисторів:
8
Опір:
22Ом
Потужність:
0,125Вт
Тип резисторної зборки:
X
Недоступний
100МГц; Властивості: DMA,PoR,PWM; -40÷85°C; Осердя: 32-bit
100МГц; Властивості: DMA,PoR,PWM; -40÷85°C; Осердя: 32-bit

Властивості інтегральних мікросхем:
DMA; PoR; PWM
Інтерфейс:
EBI; EMI; Ethernet; I2C; SPI; USB
Кількість входів/виходів:
42
Монтаж:
SMD
Недоступний
Діод: випрямний Шотткі; SiC; THT; 1,2кВ; 20Аx2; TO247-3; Ufmax: 2,4В
Діод: випрямний Шотткі; SiC; THT; 1,2кВ; 20Аx2; TO247-3; Ufmax: 2,4В

1235,43 грн

Вид упаковки:
туба
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
TO247-3
Монтаж:
THT
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 70; THT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 70; THT; 1.5A

404,21 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Довжина відводів:
5мм
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; SMD; 4,7мкФ; 250ВDC; Ø8x10,5мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; SMD; 4,7мкФ; 250ВDC; Ø8x10,5мм; ±20%

0,00 грн

Висота:
10,5мм
Діаметр:
8мм
Діаметр роліка макс.:
380мм
Допуск:
±20%
Недоступний
Резистор: thick film; 2кОм; SMD; 0603; 200мВт; ±1%; SG73S; 150В
Резистор: thick film; 2кОм; SMD; 0603; 200мВт; ±1%; SG73S; 150В

0,48 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
200В
Корпус - дюйм:
0603
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 63А; 100Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 63А; 100Вт; TO252

56,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
33нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 78Вт; DFN5x6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 78Вт; DFN5x6

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
DFN5x6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 2,7А; 48Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 2,7А; 48Вт; DPAK

100,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,38А; 0,42Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,38А; 0,42Вт; SOT23

11,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,7нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 77А; 312Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 77А; 312Вт; D2PAK; ESD

205,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 22А; 250Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 22А; 250Вт; D2PAK; ESD

268,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 8,5А; 30Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 8,5А; 30Вт; DPAK; ESD

86,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD