Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 400В; 1,5А; Idm: 6А

Немає в наявності
Код товару: P1R5B40HP2-5071
12,10 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Код товару: P1R5B40HP2-5071
Виробник: SHINDENGEN
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 3,9нКл
Корпус: FB (TO252AA)
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 400В
Опір в стані провідності: 5Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 35Вт
Струм стока: 1,5А
Струм стоку в імпульсі: 6А
Технологія: Hi-PotMOS2
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 3,9МОм; 0402; 100мВт; ±5%; ERJ2GEJ; 150ppm/°C
Резистор: thick film; 3,9МОм; 0402; 100мВт; ±5%; ERJ2GEJ; 150ppm/°C

0,19 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Оптрон; SMD; Ch: 1; OUT: тригер,логічний; Uізол: 5кВ; SOIC6; 40кВ/мкс
Оптрон; SMD; Ch: 1; OUT: тригер,логічний; Uізол: 5кВ; SOIC6; 40кВ/мкс

171,06 грн

Вид виходу:
логічний; тригер
Вихідна напруга:
35В
Зворотна напруга макс.:
5В
Кількість каналів:
1
Недоступний
Ключ: комбінований; двосторонній; 29мм; L: 330мм; сталь
Ключ: комбінований; двосторонній; 29мм; L: 330мм; сталь

757,10 грн

Вид ключа:
двосторонній
Вид упаковки:
промислова; розсипний
Відповідність стандарту:
ISO 10102
Властивості ключів:
кільцева голівка вигнута на 15°; поверхня ключів хромована
Недоступний
Резистор: thick film; 820Ом; SMD; 1206; 500мВт; ±1%; PS; 200В
Резистор: thick film; 820Ом; SMD; 1206; 500мВт; ±1%; PS; 200В

1,12 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Оптрон; THT; Ch: 1; OUT: транзисторний; Uізол: 5кВ; CTR@If: 100%@10mA
Оптрон; THT; Ch: 1; OUT: транзисторний; Uізол: 5кВ; CTR@If: 100%@10mA

38,65 грн

CTR@If:
100%@10mA
Вид виходу:
транзисторний
Вид упаковки:
туба
Зворотна напруга макс.:
3В
Недоступний
Резистор: thin film; 470Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; ERA6APB
Резистор: thin film; 470Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; ERA6APB

11,40 грн

Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 270Ом; THT; TO247; 100Вт; ±5%; 500В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 270Ом; THT; TO247; 100Вт; ±5%; 500В; -55÷155°C

375,70 грн

Властивості резисторів:
необхідний додатковий радіатор
Допуск:
±5%
Корпус:
TO247
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 1,4А; Idm: 6А; 0,3Вт; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 1,4А; Idm: 6А; 0,3Вт; ESD

14,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,1нКл
Корпус:
SC70; SOT323
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 14А; Idm: 100А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 14А; Idm: 100А

112,14 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
56нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 46А; Idm: 163А; 206Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 46А; Idm: 163А; 206Вт

609,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
99нКл
Корпус:
D3PAK; TO268
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 500мА; Idm: 2А
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 500мА; Idm: 2А

35,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,3нКл
Корпус:
FB (TO252AA)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 75В; 72А; Idm: 288А; 217Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 75В; 72А; Idm: 288А; 217Вт

50,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,1мкКл
Корпус:
LF (MO235B similar)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 200мА; Idm: 0,8А; 150мВт; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 200мА; Idm: 0,8А; 150мВт; ESD

11,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT323F
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 110А; Idm: 400А; 42Вт; QFN5x6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 110А; Idm: 400А; 42Вт; QFN5x6

65,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
59нКл