Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 6А; Idm: 24А

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: P6F50HP2-5600
41,18 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: P6F50HP2-5600
Виробник: SHINDENGEN
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: розсипний
Заряд затвора: 15нКл
Корпус: FTO-220AG (SC91)
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 500В
Опір в стані провідності: 1,35Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 62,5Вт
Струм стока: 6А
Струм стоку в імпульсі: 24А
Технологія: Hi-PotMOS2
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 3,01кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; TC; 150В
Резистор: thin film; 3,01кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; TC; 150В

0,58 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Роз’єм: живлення AC; гніздо; роз'єм живлення; 250ВAC; C15; прямий
Роз’єм: живлення AC; гніздо; роз'єм живлення; 250ВAC; C15; прямий

222,38 грн

Connector family:
роз'єм живлення
Колір:
білий
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Модель роз’єму:
C15
Недоступний
Трансформатор: струмовий; Iвх: 60А; Iвих: 5А; 0,2@max1,5ВА; 50÷60Гц
Трансформатор: струмовий; Iвх: 60А; Iвих: 5А; 0,2@max1,5ВА; 50÷60Гц

2437,28 грн

Вихідний струм:
5А
Відповідність стандарту:
BS 3839; EN 60044-1; EN 61869-1
Вхідний струм:
60А
Клас точності:
0,2 @max 1,5ВА
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10мкФ; 6,3В; X7R; ±10%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10мкФ; 6,3В; X7R; ±10%; SMD; 0805

14,57 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TFBGA36
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TFBGA36

269,26 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TFBGA36
Монтаж:
SMD
Недоступний
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 48МГц; UFQFPN48; 2÷3,6ВDC; STM32F0
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 48МГц; UFQFPN48; 2÷3,6ВDC; STM32F0

120,38 грн

Вид архітектури:
Cortex M0
Вид упаковки:
лоток
Властивості інтегральних мікросхем:
CRC; DMA; PdR; PoR; PVD; PWM; RTC; watchdog
Інтерфейс:
HDMI CEC; I2C; SPI x2; USART x2; USB
Недоступний
Резистор: thick film; 13Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±5%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 13Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±5%; 75В; -55÷155°C

0,06 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 47А; Idm: 141А; 417Вт; TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 47А; Idm: 141А; 417Вт; TO247-3

611,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,21мкКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 4А; Idm: 20А; 43Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 4А; Idm: 20А; 43Вт; TO220AB

74,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
8,3нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 6,3А; Idm: 40А; 125Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 6,3А; Idm: 40А; 125Вт; TO220AB

133,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 160Вт; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 160Вт; TO247AC

137,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
110нКл
Корпус:
TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 17А; 45Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 17А; 45Вт; TO220AB

43,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
13,3нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-JFET; польовий; 5мА; 0,625Вт; TO92; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 5мА; 0,625Вт; TO92; Igt: 50мА

26,61 грн

Вид упаковки:
розсипний
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
-35В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 5,7А; 115Вт; TO220-3; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 5,7А; 115Вт; TO220-3; ESD

169,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Модель:
ESD