Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 520В; 1А; Idm: 4А; 35Вт

Немає в наявності
Код товару: P1B52HP2-5071
12,10 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Код товару: P1B52HP2-5071
Виробник: SHINDENGEN
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 4,3нКл
Корпус: FB (TO252AA)
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 520В
Опір в стані провідності: 7,2Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 35Вт
Струм стока: 1А
Струм стоку в імпульсі: 4А
Технологія: Hi-PotMOS2
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 352Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 352Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

20,21 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thin film; 30,1Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; RN73H; 150В
Резистор: thin film; 30,1Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; RN73H; 150В

3,48 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Резистор: thick film; 24кОм; SMD; 0603; 0,1Вт; ±1%; RC; 50В
Резистор: thick film; 24кОм; SMD; 0603; 0,1Вт; ±1%; RC; 50В

4,43 грн

Вид упаковки:
ролик 13 дюймів
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Варистор: багатошарові; SMD; 2220; 14ВAC; 18ВDC; 5,8Дж; 1,2кА; 38В
Варистор: багатошарові; SMD; 2220; 14ВAC; 18ВDC; 5,8Дж; 1,2кА; 38В

70,32 грн

Енергія 2 мс:
5,8Дж
Корпус - дюйм:
2220
Монтаж:
SMD
Напруга варистора:
38В
Недоступний
Резистор: thick film; 698Ом; 1210; 500мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C; 2А
Резистор: thick film; 698Ом; 1210; 500мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C; 2А

0,29 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1210
Корпус - мм:
3225
Опір:
698Ом
Підставка; PIN: 14; 12А; 12А; на шину DIN; самозажимна клемма
Підставка; PIN: 14; 12А; 12А; на шину DIN; самозажимна клемма

451,09 грн

Виводи:
самозажимна клемма
Зовнішні розміри:
98x28x48,3мм
Кількість пін:
14
Монтаж:
на шину DIN
Недоступний
Резистор: thick film; 3,6кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; ERJ8ENF
Резистор: thick film; 3,6кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; ERJ8ENF

0,82 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 130Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 130Вт; D2PAK,TO263

76,03 грн

Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±25В
Напруга сток-джерело:
600В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 240В; 0,5А; Idm: 1,5А; 2,5Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 240В; 0,5А; Idm: 1,5А; 2,5Вт; SOT223

74,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; Idm: 68А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; Idm: 68А; 125Вт

172,96 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
66нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 3,1А; Idm: 8А; 1,6Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 3,1А; Idm: 8А; 1,6Вт; SOT23

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
10,4нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,115А; Idm: 0,8А; 0,2Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,115А; Idm: 0,8А; 0,2Вт

6,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT323
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 12А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 12А; 2,5Вт; SO8

11,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 35А; Idm: 130А; 25Вт; QFN3X3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 35А; Idm: 130А; 25Вт; QFN3X3

51,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
22нКл