1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 3,1А; Idm: 8А; 1,6Вт; SOT23

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 3,1А; Idm: 8А; 1,6Вт; SOT23
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: SI2392ADS-T1-GE3
49,42 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SI2392ADS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 10,4нКл
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 126мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,6Вт
Струм стока: 3,1А
Струм стоку в імпульсі: 8А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Ключ: динамометрична; насадковий; 657мм; 80÷400Нм; 3/4"
Ключ: динамометрична; насадковий; 657мм; 80÷400Нм; 3/4"

31567,45 грн

Вид ключа:
насадковий
Відповідність стандарту:
DIN ISO 6789-2
Властивості ключів:
ергономічна рукоятка; шкала в Nm/Lbf
Загальна довжина:
657мм
Викрутка: ізольований-комплект; ізольований; 6-гранний ковпачок
Викрутка: ізольований-комплект; ізольований; 6-гранний ковпачок

6967,82 грн

Engineering PN:
629CS6VDETBI
Вид викрутки:
ізольований
Вид упаковки:
картоннa; коробка
Відповідність стандарту:
IEC 60900; VDE
Резистор: thick film; 10Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; CRGCQ
Резистор: thick film; 10Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; CRGCQ

0,85 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Резистор: thick film; 2,2кОм; SMD; 0201; 50мВт; ±1%; 25В; -55÷125°C
Резистор: thick film; 2,2кОм; SMD; 0201; 50мВт; ±1%; 25В; -55÷125°C

3,05 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0201
Корпус - мм:
0603
Монтаж:
SMD
Роз’єм: затискна планка на плату; роз'єм живлення; 10А; 300В
Роз’єм: затискна планка на плату; роз'єм живлення; 10А; 300В

35,73 грн

Connector family:
роз'єм живлення
Кількість пін:
3
Клас горючості:
UL94V-0
Колір корпусу:
чорний
Недоступний
Мікроперемикач SNAP ACTION; 3A/250ВAC; з важелем; SPDT; ON-(ON)
Мікроперемикач SNAP ACTION; 3A/250ВAC; з важелем; SPDT; ON-(ON)

30,41 грн

Виводи:
конектори
Властивості перемикачів:
з важелем
Довжина важеля:
17,5мм
Кількість всіх позицій:
2
Недоступний
Резистор: thin film; 2,8кОм; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 2,8кОм; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,5%

5,58 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 21Вт; DFN3.3x3.3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 21Вт; DFN3.3x3.3

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
DFN3.3x3.3
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 9Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 9Вт; DFN3x3 EP

13,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 20,7А; 208Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 20,7А; 208Вт; PG-TO263-3

193,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-JFET; польовий; 900мкА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 900мкА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА

21,54 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-40В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 2,5А; 22,7Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 2,5А; 22,7Вт; PG-TO252-3

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±16В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 28А; 250Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 28А; 250Вт; D2PAK

156,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
50нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 12,5А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 12,5А; 2,5Вт; SO8

56,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
23нКл
Корпус:
SO8