Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 520В; 5А; Idm: 20А; 54Вт

Немає в наявності
Код товару: P5B52HP2-5071
19,70 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Код товару: P5B52HP2-5071
Виробник: SHINDENGEN
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 10,5нКл
Корпус: FB (TO252AA)
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 520В
Опір в стані провідності: 1,7Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 54Вт
Струм стока: 5А
Струм стоку в імпульсі: 20А
Технологія: Hi-PotMOS2
Тип транзистора: N-MOSFET
Блок живлення: імпульсний; Iвих max: 2А; 10Вт; Iвих: 2А; 5В; OUT: 1
Блок живлення: імпульсний; Iвих max: 2А; 10Вт; Iвих: 2А; 5В; OUT: 1

805,88 грн

Вихідна напруга:
5В
Вихідний струм:
2А
Вхідна напруга:
90...264В AC; 100...240В AC
Кількість виходів:
1
Недоступний
Резистор: thick film; 200кОм; SMD; 2010; 750мВт; ±5%; CQ; 200В
Резистор: thick film; 200кОм; SMD; 2010; 750мВт; ±5%; CQ; 200В

0,93 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2пФ; 50В; X8G; ±0,25пФ; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2пФ; 50В; X8G; ±0,25пФ; SMD; 0402

0,28 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
2,2пФ
Недоступний
Резистор: thick film; 280Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; 200В; -55÷125°C
Резистор: thick film; 280Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; 200В; -55÷125°C

1,43 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6432
Недоступний
Резистор: thin film; 965Ом; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M; 75В
Резистор: thin film; 965Ом; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M; 75В

21,16 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: thick film; 732Ом; 1210; 500мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C; 2А
Резистор: thick film; 732Ом; 1210; 500мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C; 2А

0,29 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1210
Корпус - мм:
3225
Опір:
732Ом
Недоступний
Тиристор: таблетковий; 8кВ; Ifмакс: 3,6кА; 3,33кА; DO200AE; лоток
Тиристор: таблетковий; 8кВ; Ifмакс: 3,6кА; 3,33кА; DO200AE; лоток

557448,10 грн

Вид упаковки:
лоток
Зворотна напруга макс.:
8кВ
Корпус:
DO200AE
Монтаж:
Press-Pack
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 120В; 4,6А; Idm: 18,4А; 3Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 120В; 4,6А; Idm: 18,4А; 3Вт; SOT223

27,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
23нКл
Корпус:
SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 5,8А; 1,3Вт; TSOP6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 5,8А; 1,3Вт; TSOP6

15,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6нКл
Корпус:
TSOP6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 56А; Idm: 224А; 62,5Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 56А; Idm: 224А; 62,5Вт

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
6,5нКл
Корпус:
PowerFLAT 5x6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 6,2А; 2Вт; SO8; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 6,2А; 2Вт; SO8; ESD

51,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
8нКл
Корпус:
SO8
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 100А; 47,5Вт; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 100А; 47,5Вт; TO263

63,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 36А; 50Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 36А; 50Вт; TO252

37,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
26,5нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 60В; 40А; 62Вт; DFN8
Транзистор: N-MOSFET; 60В; 40А; 62Вт; DFN8

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DFN8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В