1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 520В; 6А; Idm: 24А; 71Вт

Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 520В; 6А; Idm: 24А; 71Вт
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: P6B52HP2-5071
35,48 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: P6B52HP2-5071
Виробник: SHINDENGEN
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 12,5нКл
Корпус: FB (TO252AA)
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 520В
Опір в стані провідності: 1,25Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 71Вт
Струм стока: 6А
Струм стоку в імпульсі: 24А
Технологія: Hi-PotMOS2
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; THT; 560мкФ; 63ВDC; Ø13x30мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; THT; 560мкФ; 63ВDC; Ø13x30мм; ±20%

18,44 грн

Висота:
30мм
Діаметр:
13мм
Допуск:
±20%
Ємність:
560мкФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,7пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,7пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,17 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
9,7пФ
Недоступний
Вимикач безпеки: кнопка дозволу; NC x2 + NO x2; OUT: 4; -10÷55°C
Вимикач безпеки: кнопка дозволу; NC x2 + NO x2; OUT: 4; -10÷55°C

1748,61 грн

Властивості вимикачів безпеки:
без прокладки
Електричні параметри виходу:
24В DC/300мА; 125В AC/1А
Кількість виходів:
4
Конфігурація контактів:
NC x2 + NO x2
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,3пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,3пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

0,29 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
2,3пФ
Недоступний
Резистор: thick film; 3кОм; SMD; 0805; 500мВт; ±1%; 150В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 3кОм; SMD; 0805; 500мВт; ±1%; 150В; -55÷155°C

0,72 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±1%
Зовнішні розміри:
2x1,25x0,5мм
Недоступний
Резистор: thick film; 261Ом; 0402; 62,5мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 261Ом; 0402; 62,5мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C

0,01 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Опір:
261Ом
Недоступний
Резистор: thin film; 51Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±1%; MCT0603; 0; 75В
Резистор: thin film; 51Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±1%; MCT0603; 0; 75В

0,58 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1000В; 1,16А; 70Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1000В; 1,16А; 70Вт; DPAK; ESD

110,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 127А; 375Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 127А; 375Вт; D2PAK

218,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Заряд затвора:
143нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,125А; 360мВт; SOT23,TO236AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,125А; 360мВт; SOT23,TO236AB

8,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,51нКл
Корпус:
SOT23; TO236AB
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 150В; 51,6А; Idm: 100А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 150В; 51,6А; Idm: 100А

78,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
41нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 30А; 12,5Вт; DFN5x6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 30А; 12,5Вт; DFN5x6

38,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
24нКл
Корпус:
DFN5x6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 60А; 63Вт; VSONP8; 3,3x3,3мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 60А; 63Вт; VSONP8; 3,3x3,3мм

86,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
VSONP8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 20В; 0,53А; Idm: 2А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 20В; 0,53А; Idm: 2А

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
2,7нКл
Корпус:
SC89; SOT563