Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 15А; Idm: 60А

Немає в наявності
Код товару: P15F60HP2F-5600
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: P15F60HP2F-5600
Виробник: SHINDENGEN
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: розсипний
Заряд затвора: 34нКл
Корпус: FTO-220AG (SC91)
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 530мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 95Вт
Струм стока: 15А
Струм стоку в імпульсі: 60А
Технологія: Hi-PotMOS2
Тип транзистора: N-MOSFET
PMIC; перетворювач DC/DC; Uвх: 4,5÷36ВDC; Uвих: 1÷28ВDC; 1А; HSOP8
PMIC; перетворювач DC/DC; Uвх: 4,5÷36ВDC; Uвих: 1÷28ВDC; 1А; HSOP8

210,97 грн

Вид об'єднаної схеми:
перетворювач DC/DC
Вид упаковки:
туба
Вихідна напруга:
1...28В DC
Вихідний струм:
1А
Недоступний
Перемикач: кнопковий; 22мм; Фікс.поз: 2; NC; зелений; LED; IP66
Перемикач: кнопковий; 22мм; Фікс.поз: 2; NC; зелений; LED; IP66

786,24 грн

Виводи:
гвинтові виводи
Властивості перемикачів:
із захисною кришкою
Кількість всіх позицій:
2
Кількість фіксованих позицій:
2
Недоступний
Плата: універсальна; одностороння,прототипна; W: 100мм; L: 160мм
Плата: універсальна; одностороння,прототипна; W: 100мм; L: 160мм

329,45 грн

Діаметр отвору:
1мм
Довжина:
160мм
Матеріал:
FR4; епоксидна смола; скловолокно
Модель плати:
одностороння; прототипна
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 3А; Idm: 20А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 3А; Idm: 20А; 2,5Вт; SO8

154,59 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
43нКл
Корпус:
SO8
Недоступний
Конденсатор: танталовий; low ESR; 47мкФ; 20ВDC; SMD; E; 2917; ±10%
Конденсатор: танталовий; low ESR; 47мкФ; 20ВDC; SMD; E; 2917; ±10%

50,68 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Допуск:
±10%
Ємність:
47мкФ
Корпус:
E
Недоступний
Кінцевий датчик; NO + NC; 5А; макс.250ВAC; макс.250ВDC; IP67
Кінцевий датчик; NO + NC; 5А; макс.250ВAC; макс.250ВDC; IP67

7646,36 грн

Властивості перемикачів:
контакти миттєвої дії
Кількість монтажних отворів:
2
Клас герметичності:
IP67
Конфігурація виходу:
NO + NC
Роз’єм: круглі; гніздо; PIN: 8; штекерний; промислова; X-Lok; прямий
Роз’єм: круглі; гніздо; PIN: 8; штекерний; промислова; X-Lok; прямий

497,34 грн

Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
8
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 48А; Idm: 223А; 326Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 48А; Idm: 223А; 326Вт

648,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
99нКл
Корпус:
TO247-4
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 15А; Idm: 66А; 156Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 15А; Idm: 66А; 156Вт

273,70 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
29,6нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 214А; Idm: 856А; 333Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 214А; Idm: 856А; 333Вт

301,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
89нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 19А; Idm: 53А; 142Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 19А; Idm: 53А; 142Вт; TO220-3

254,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
35нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 133А; 200Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 133А; 200Вт; TO220AB

131,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
170нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 18А; 150Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 18А; 150Вт; TO220AB

89,33 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
44,7нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 90А; Idm: 231А; 465Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 90А; Idm: 231А; 465Вт

853,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
0,22мкКл