Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 5А; Idm: 20А; 65Вт

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: P5F60HP2-5600
35,48 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: P5F60HP2-5600
Виробник: SHINDENGEN
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: розсипний
Заряд затвора: 15нКл
Корпус: FTO-220AG (SC91)
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 1,4Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 65Вт
Струм стока: 5А
Струм стоку в імпульсі: 20А
Технологія: Hi-PotMOS2
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 45,3Ом; 2010; 750мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 45,3Ом; 2010; 750мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C

0,42 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Опір:
45,3Ом
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; X2; F863; 4,7мкФ; 630ВDC; 310ВAC
Конденсатор: поліпропиленовий; X2; F863; 4,7мкФ; 630ВDC; 310ВAC

114,67 грн

Вид конденсатора:
X2
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Довжина відводів:
4мм
Допуск:
±10%
Недоступний
Резистор: thick film; 1,87кОм; SMD; 0603; 200мВт; ±0,5%; ERJPC3D
Резистор: thick film; 1,87кОм; SMD; 0603; 200мВт; ±0,5%; ERJPC3D

1,32 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Маркер: кабельний; Маркування: ; ПВХ; білий; W: 4,5мм; -45÷70°C
Маркер: кабельний; Маркування: ; ПВХ; білий; W: 4,5мм; -45÷70°C

0,94 грн

Довжина:
4,75мм
Колір:
білий
Колір друкованого знаку:
чорний
Маркування:
.
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 1206; 178мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 1206; 178мм

5,70 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Резистор: thin film; 1кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; RN73R; 200В
Резистор: thin film; 1кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; RN73R; 200В

4,31 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Резистор: thin film; 340кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 340кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,22 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; польовий; 100В; 76А; Idm: 415А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; польовий; 100В; 76А; Idm: 415А

143,82 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
72нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ K5; польовий; 800В; 1,3А; Idm: 8А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ K5; польовий; 800В; 1,3А; Idm: 8А

58,29 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
5нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 650В; 26А; Idm: 90А; 350Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 650В; 26А; Idm: 90А; 350Вт

462,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
58нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 31Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 31Вт

144,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
27,3нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 30А; TO3P
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 30А; TO3P

133,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO3P
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 1,5кВ; 3А; Idm: 12А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 1,5кВ; 3А; Idm: 12А; 125Вт

60,19 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
40нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 100В; 120А; Idm: 480А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 100В; 120А; Idm: 480А

209,71 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,12мкКл
Корпус:
TO220AB