Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 100В; 120А; Idm: 480А

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: SUP70040E-GE3
209,71 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SUP70040E-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 0,12мкКл
Корпус: TO220AB
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 4,6мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 375Вт
Струм стока: 120А
Струм стоку в імпульсі: 480А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 470кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 470кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,5%

8,49 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Резистор: thick film; 62кОм; SMD; 1206; 500мВт; ±1%; PS; 200В
Резистор: thick film; 62кОм; SMD; 1206; 500мВт; ±1%; PS; 200В

1,12 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Варистор: оксидно-цинковий; THT; 175ВAC; 225ВDC; 270В; 3,5кА; Ø10мм
Варистор: оксидно-цинковий; THT; 175ВAC; 225ВDC; 270В; 3,5кА; Ø10мм

3,74 грн

Виводи:
прямі
Вид упаковки:
сумка
Висота:
10мм
Діаметр:
10мм
Недоступний
Маркер: кабельний; 7÷115мм; поліамід,поліамід 66; білий; UL94V-2
Маркер: кабельний; 7÷115мм; поліамід,поліамід 66; білий; UL94V-2

22,30 грн

Зовнішній діаметр проводу:
7...115мм
Клас горючості:
UL94V-2
Колір:
білий
Матеріал:
поліамід; поліамід 66
Недоступний
Резистор: thick film; 430Ом; SMD; 2010; 750мВт; ±5%; AS; 400В
Резистор: thick film; 430Ом; SMD; 2010; 750мВт; ±5%; AS; 400В

3,67 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
800В
Корпус - дюйм:
2010
Недоступний
Резистор: thick film; 383Ом; 0402; 62,5мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 383Ом; 0402; 62,5мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C

0,01 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Опір:
383Ом
Недоступний
Резистор: thick film; 1Ом; SMD; 0805; 0,125Вт; ±5%; 150В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 1Ом; SMD; 0805; 0,125Вт; ±5%; 150В; -55÷155°C

0,36 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 600В; 12,6А; 140Вт
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 600В; 12,6А; 140Вт

392,17 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 47А; 417Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 47А; 417Вт; TO247

630,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,27мкКл
Корпус:
TO247
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 21А; TO247; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 21А; TO247; автомобільна галузь

629,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 26,4А; 38Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 26,4А; 38Вт; TO220FP

131,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
61нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 5А
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 5А

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
21нКл
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
±30В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 0,63А; 30Вт; I2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 0,63А; 30Вт; I2PAK; ESD

58,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
I2PAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 170А; 189Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 170А; 189Вт; TO220AB

250,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
135нКл
Корпус:
TO220AB
Монтаж:
THT