1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; польовий; 600В; 15,5А; Idm: 96А

Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; польовий; 600В; 15,5А; Idm: 96А
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: STP33N60DM2
224,91 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: STP33N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 43нКл
Корпус: TO220-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 0,13Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 190Вт
Струм стока: 15,5А
Струм стоку в імпульсі: 96А
Технологія: MDmesh™ DM2
Тип транзистора: N-MOSFET
Конденсатор: електролітичний; THT; 10мкФ; 50ВDC; Ø6,3x5мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; THT; 10мкФ; 50ВDC; Ø6,3x5мм; ±20%

17,11 грн

Висота:
5мм
Діаметр:
6,3мм
Допуск:
±20%
Ємність:
10мкФ
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 24; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 24; SMT; 3A; 250V

198,94 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,5мкФ; 35В; X7R; ±10%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,5мкФ; 35В; X7R; ±10%; SMD; 0805

3,36 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Резистор: thick film; 36кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; 50В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 36кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; 50В; -55÷155°C

0,41 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330пФ; 50В; X7R; ±20%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330пФ; 50В; X7R; ±20%; SMD; 0201

0,05 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Резистор: thin film; 470кОм; 1206; 250мВт; ±0,1%; RT; -55÷125°C
Резистор: thin film; 470кОм; 1206; 250мВт; ±0,1%; RT; -55÷125°C

4,18 грн

Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Опір:
470кОм
Резистор: thin film; 47Ом; 0603; 100мВт; ±0,1%; ARM-A; 25ppm/°C
Резистор: thin film; 47Ом; 0603; 100мВт; ±0,1%; ARM-A; 25ppm/°C

1,40 грн

Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Опір:
47Ом
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 99А; Idm: 350А; 400Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 99А; Idm: 350А; 400Вт

1568,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
215нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5А; Idm: 12А; 68Вт; SMA
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5А; Idm: 12А; 68Вт; SMA

320,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
11нКл
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 550В; 13А; Idm: 84А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 550В; 13А; Idm: 84А

382,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
50нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 21А; Idm: 125А; 28Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 21А; Idm: 125А; 28Вт

622,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
56нКл
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 60В; 34А; Idm: 136А; 35Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 60В; 34А; Idm: 136А; 35Вт

50,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
41нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 15А; Idm: 60А
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 15А; Idm: 60А

59,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
27нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 7А; Idm: 21А; 95Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 7А; Idm: 21А; 95Вт

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
42нКл