Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 15А; Idm: 60А

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: P15F50HP2-5600
59,55 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: P15F50HP2-5600
Виробник: SHINDENGEN
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: розсипний
Заряд затвора: 27нКл
Корпус: FTO-220AG (SC91)
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 500В
Опір в стані провідності: 0,5Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 90Вт
Струм стока: 15А
Струм стоку в імпульсі: 60А
Технологія: Hi-PotMOS2
Тип транзистора: N-MOSFET
Резистор: thin film; 1,62кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; ERA3AEB
Резистор: thin film; 1,62кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; ERA3AEB

4,43 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Резистор: thick film; 25,5Ом; 0201; 50мВт; ±1%; AC; -55÷155°C
Резистор: thick film; 25,5Ом; 0201; 50мВт; ±1%; AC; -55÷155°C

0,12 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0201
Корпус - мм:
0603
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 18пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 18пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0603

0,60 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
18пФ
Недоступний
Резистор: thin film; 2,94кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; TC; 200В
Резистор: thin film; 2,94кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; TC; 200В

0,65 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3225
Резистор: thick film; 220Ом; SMD; 0402; 63мВт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 220Ом; SMD; 0402; 63мВт; ±1%; -55÷155°C

0,10 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Діод: TVS; 600Вт; 37,1В; 11,1А; односпрямована; DO15,DO204AC; P6KE
Діод: TVS; 600Вт; 37,1В; 11,1А; односпрямована; DO15,DO204AC; P6KE

6,84 грн

Вид упаковки:
ролик 13 дюймів
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Зворотна напруга макс.:
33,3В
Корпус:
DO15; DO204AC
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 0,4пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 0,4пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,09 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
0,4пФ
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 28А; Idm: 100А; 143Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 28А; Idm: 100А; 143Вт

446,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
56нКл
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M6; польовий; 900В; 9А; Idm: 60А; 30Вт
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M6; польовий; 900В; 9А; Idm: 60А; 30Вт

262,29 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
29,7нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 11А; Idm: 53А; 20Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 11А; Idm: 53А; 20Вт; TO220FP

110,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
25нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 7А; Idm: 28А; 79Вт
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 7А; Idm: 28А; 79Вт

42,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 60В; 55А; Idm: 220А; 44Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 60В; 55А; Idm: 220А; 44Вт

65,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
73нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3,6А; Idm: 18А; 32Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3,6А; Idm: 18А; 32Вт; TO220FP

123,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
31нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 12А; Idm: 24А; 180Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 12А; Idm: 24А; 180Вт; TO220AB

220,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
TO220AB