1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; польовий; 600В; 42А; 446Вт

Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; польовий; 600В; 42А; 446Вт
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: STW70N60DM2
539,79 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: STW70N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Корпус: TO247
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±25В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 37мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 446Вт
Струм стока: 42А
Технологія: MDmesh™ DM2
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 2.29mm; GKS-100; CuBe; 3N; push-in; 20mΩ
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 2.29mm; GKS-100; CuBe; 3N; push-in; 20mΩ

345,29 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
6,35мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
2,29мм
Недоступний
IC: пам'ять EEPROM; 8кБEEPROM; Microwire; 512x16; SOIC8; туба
IC: пам'ять EEPROM; 8кБEEPROM; Microwire; 512x16; SOIC8; туба

27,37 грн

Вид пам’яті:
EEPROM
Вид упаковки:
туба
Інтерфейс:
Microwire
Корпус:
SOIC8
Недоступний
Резистор: thin film; 2,7кОм; THT; 400мВт; ±1%; 200В; Ш0,5x29мм
Резистор: thin film; 2,7кОм; THT; 400мВт; ±1%; 200В; Ш0,5x29мм

3,99 грн

Діаметр:
1,6мм
Довжина:
3,6мм
Допуск:
±1%
Монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thick film; 560кОм; SMD; 01005; 31,25мВт; ±5%; 15В
Резистор: thick film; 560кОм; SMD; 01005; 31,25мВт; ±5%; 15В

0,25 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
01005
Корпус - мм:
0402
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 137кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В
Резистор: вуглецевий; 137кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В

9,88 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
2,2мм
Діаметр роліка макс.:
330мм
Довжина:
5,8мм
Недоступний
Діод: зенера; 0,25Вт; 5,1В; SMD; DFN1006-2; одиночний діод; MM9ZxxB
Діод: зенера; 0,25Вт; 5,1В; SMD; DFN1006-2; одиночний діод; MM9ZxxB

6,97 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±2%
Зенерівська напруга:
5,1В
Корпус:
DFN1006-2
Недоступний
IC: мікроконтролер dsPIC; 512кБ; 48кБSRAM; UQFN48; DSPIC; 0,4мм
IC: мікроконтролер dsPIC; 512кБ; 48кБSRAM; UQFN48; DSPIC; 0,4мм

327,55 грн

Вид архітектури:
Harvard 16бит
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); CRC; DMA; motor controller; PoR; PWM; watchdog
Інтерфейс:
ADC; CAN 2.0B; ECAN; I2C x2; IrDA; JTAG; LIN; PPS; QEI; SMBus; SPI x2; UART x2
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 700В; 5,3А; 26Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 700В; 5,3А; 26Вт; TO220FP

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220FP
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 650В; 8А; 57Вт; TO262
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 650В; 8А; 57Вт; TO262

27,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO262
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; Polar3™; польовий; 500В; 16А; 330Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; Polar3™; польовий; 500В; 16А; 330Вт; TO220AB

227,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
29нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; X3-Class; польовий; 300В; 56А; 320Вт; TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; X3-Class; польовий; 300В; 56А; 320Вт; TO247-3

548,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
56нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; X3-Class; польовий; 300В; 72А; 390Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; X3-Class; польовий; 300В; 72А; 390Вт; TO220AB

606,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
82нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-JFET / N-MOSFET; SiC; польовий; каскодний; 650В; 40А
Транзистор: N-JFET / N-MOSFET; SiC; польовий; каскодний; 650В; 40А

1657,38 грн

Вид транзистора:
каскодний
Заряд затвора:
51нКл
Корпус:
TO247-3
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 17А; 103Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 17А; 103Вт; TO247

560,70 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
42нКл
Корпус:
TO247