Транзистор: N-MOSFET; X3-Class; польовий; 300В; 72А; 390Вт; TO220AB

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IXFP72N30X3
606,31 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXFP72N30X3
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 82нКл
Корпус: TO220AB
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 300В
Опір в стані провідності: 19мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 390Вт
Струм стока: 72А
Технологія: HiPerFET™; X3-Class
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 100нс
Недоступний
Contact; male; data transfer; copper alloy; gold-plated; THT; 75Ω
Contact; male; data transfer; copper alloy; gold-plated; THT; 75Ω

257,22 грн

Connector family:
data transfer
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
THT
Матеріал контакту:
сплав міді
Кабель: до датчиків; PIN: 4; М12 "мама"; кутовий; 10м; вилка; 250ВDC
Кабель: до датчиків; PIN: 4; М12 "мама"; кутовий; 10м; вилка; 250ВDC

892,04 грн

Довжина кабелю:
10м
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP67
Колір ізоляції:
чорний
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 8Вт; Uвх: 18÷36ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 666мА
Перетворювач: DC/DC; 8Вт; Uвх: 18÷36ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 666мА

1348,20 грн

Вихідна напруга:
12В DC
Вихідний струм:
0,666А
Вхідна напруга:
18...36В DC
Захист:
від короткого замикання SCP; проти короткого замикання OVP; протиперевантажувальні OPP
Недоступний
Резистор: thick film; 1кОм; SMD; 1812; 750мВт; ±5%; ERJ12ZY
Резистор: thick film; 1кОм; SMD; 1812; 750мВт; ±5%; ERJ12ZY

3,74 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1812
Корпус - мм:
4532
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 25В; X7R; ±5%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 25В; X7R; ±5%; SMD; 0402

4,43 грн

Alias:
C0402C103J3RAC7867
Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±5%
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1,2кВ; 3А; Idm: 15А; 225Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1,2кВ; 3А; Idm: 15А; 225Вт; TO220-3

249,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
43нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5А; Idm: 12А; 68Вт; SMA
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5А; Idm: 12А; 68Вт; SMA

258,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
18нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 41А; Idm: 232А; 160Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 41А; Idm: 232А; 160Вт

952,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
106нКл
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 120В; 32А; Idm: 128А; 44Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 120В; 32А; Idm: 128А; 44Вт

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
92нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 13А; Idm: 52А
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 13А; Idm: 52А

50,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
25нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 75В; 70А; Idm: 280А; 53Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 75В; 70А; Idm: 280А; 53Вт

76,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
105нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 48А; Idm: 70А; 70Вт; TO3PF
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 48А; Idm: 70А; 70Вт; TO3PF

606,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
76нКл
Корпус:
TO3PF