1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; польовий; 600В; 42А; Idm: 220А

Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; польовий; 600В; 42А; Idm: 220А
Немає в наявності
Код товару: STWA72N60DM2AG
623,42 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: STWA72N60DM2AG
Виробник: STMicroelectronics
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 121нКл
Корпус: TO247
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±25В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 42мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 446Вт
Струм стока: 42А
Струм стоку в імпульсі: 220А
Технологія: MDmesh™ DM2
Тип транзистора: N-MOSFET
Реактор: дротяний; SMD; 34,1мкГн; ±20%; 3,42А; ферит; H: 4,6мм
Реактор: дротяний; SMD; 34,1мкГн; ±20%; 3,42А; ферит; H: 4,6мм

27,69 грн

Високосортність:
21,9
Висота:
4,6мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Резистор: thin film; 68кОм; 3,15x1,57x0,5мм
Резистор: thin film; 68кОм; 3,15x1,57x0,5мм

17,80 грн

Опір:
68кОм
Розміри корпусу:
3,15x1,57x0,5мм
Тип резистора:
thin film
Резистор: thick film; 0805; 250мВт; ±1%; -55÷155°C; 100ppm/°C
Резистор: thick film; 0805; 250мВт; ±1%; -55÷155°C; 100ppm/°C

1,08 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
M12; PIN: 4; штекерний,прямий; неекранований,прямий; Iном: 4А; PUR
M12; PIN: 4; штекерний,прямий; неекранований,прямий; Iном: 4А; PUR

617,71 грн

Резистор: thick film; 1,3кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; 200В
Резистор: thick film; 1,3кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; 200В

0,18 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Монтаж:
SMD
Недоступний
Кабель; 0,2м; AMC "мама",MCX "папа"; кутовий,прямий
Кабель; 0,2м; AMC "мама",MCX "папа"; кутовий,прямий

963,64 грн

Вид кабелю:
1.13 mm Micro-cable
Довжина кабелю:
0,2м
Конструкція кабелю/переходу:
AMC "мама"; MCX "папа"
Модель роз’єму:
кутовий; прямий
Недоступний
Кабель: до датчиків; M12,M8; PIN: 4; штекерний,гніздовий; 1,5м
Кабель: до датчиків; M12,M8; PIN: 4; штекерний,гніздовий; 1,5м

807,78 грн

Довжина кабелю:
1,5м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP65; IP67
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 99А; Idm: 350А; 400Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 99А; Idm: 350А; 400Вт

1568,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
215нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5А; Idm: 12А; 68Вт; SMA
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5А; Idm: 12А; 68Вт; SMA

320,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
11нКл
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 550В; 13А; Idm: 84А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 550В; 13А; Idm: 84А

382,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
50нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 21А; Idm: 125А; 28Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 21А; Idm: 125А; 28Вт

622,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
56нКл
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 60В; 34А; Idm: 136А; 35Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 60В; 34А; Idm: 136А; 35Вт

50,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
41нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 15А; Idm: 60А
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 15А; Idm: 60А

59,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
27нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 7А; Idm: 21А; 95Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 7А; Idm: 21А; 95Вт

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
42нКл