Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ K5; польовий; 800В; 2,8А; 85Вт; DPAK

Немає в наявності
Код товару: STD6N80K5
46,25 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: STD6N80K5
Виробник: STMicroelectronics
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: DPAK
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 800В
Опір в стані провідності: 1,6Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 85Вт
Струм стока: 2,8А
Технологія: MDmesh™ K5
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 23; THR,THT; 3A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 23; THR,THT; 3A

93,77 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
10,4мм
Недоступний
Роз’єм: живлення AC; роз'єм живлення; TH219; 6÷13,5мм; IP68
Роз’єм: живлення AC; роз'єм живлення; TH219; 6÷13,5мм; IP68

796,38 грн

Connector family:
роз'єм живлення
Зовнішній діаметр проводу:
6...13,5мм
Клас герметичності:
IP68
Робоча температура:
-40...125°C
Недоступний
Світловий бар'єр безпеки; H: 310мм; 6м; IP65,IP67; EOS4 X; 24ВDC
Світловий бар'єр безпеки; H: 310мм; 6м; IP65,IP67; EOS4 X; 24ВDC

54109,29 грн

Висота:
310мм
Властивості датчиків:
захист пальця
Дальність:
6м
Клас герметичності:
IP65; IP67
Резистор: thick film; 180Ом; 1206; 250мВт; ±5%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 180Ом; 1206; 250мВт; ±5%; -55÷155°C

0,96 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 58; THT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 58; THT; 1.5A

382,67 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Довжина відводів:
2,5мм
Недоступний
Датчик: ультразвуковий; прямий; Дальність: 40÷400мм; PNP / NO
Датчик: ультразвуковий; прямий; Дальність: 40÷400мм; PNP / NO

25306,67 грн

Вид датчика:
прямий
Дальність:
40...400мм
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP67
Недоступний
Кабель: до датчиків; M8; PIN: 4; штекерний,гніздовий; вилка; SAIL
Кабель: до датчиків; M8; PIN: 4; штекерний,гніздовий; вилка; SAIL

752,66 грн

Довжина проводу:
1м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP65; IP67
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,3А; 0,5Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,3А; 0,5Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±8В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,2А; Idm: 27А; 0,4Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,2А; Idm: 27А; 0,4Вт; SOT23

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
5,1нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 47Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 47Вт; PG-TO252-3

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 40А; Idm: 80А; 40Вт
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 40А; Idm: 80А; 40Вт

66,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
77нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3

291,43 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 56А; 310Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 56А; 310Вт; D2PAK

215,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
82нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,5А; 4,5Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,5А; 4,5Вт; DFN3x3 EP

15,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7,1нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD