Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 600В; 12,6А; 35Вт

Name: Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 600В; 12,6А; 35Вт
Brand: STMicroelectronics
SKU: STF26NM60N
Price: 354.16 UAH
Availability: InStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Термін постачання: 3 тижні

Код товару: STF26NM60N

354,16 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Код товару:

STF26NM60N

Виробник:

STMicroelectronics

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

туба

Корпус:

TO220FP

Монтаж:

THT

Напруга затвор-джерело:

±30В

Напруга сток-джерело:

600В

Опір в стані провідності:

135мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

35Вт

Струм стока:

12,6А

Технологія:

MDmesh™ II

Тип транзистора:

N-MOSFET

Переглянуті товари

Бажані

Кабель; USB 2.0; USB A двостороння вилка,вилка micro USB B

323,11 грн

Діаметр жили:
24AWG; 28AWG

Довжина кабелю:
0,5м

Зовнішній діаметр проводу:
4,5мм

Колір ізоляції:
чорний

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 28А; 417Вт; TO247

505,58 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Корпус:
TO247

Монтаж:
THT

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,5А; Idm: 1,2А; 0,83Вт; TO92

25,98 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
TO92

Монтаж:
THT

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 38,5А; 417Вт; TO220AB

134,31 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
75нКл

Корпус:
TO220AB

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; 600В; 61А; 568Вт; TO247-3

346,55 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
76нКл

Корпус:
TO247-3

Монтаж:
THT

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; 650В; 30А; 86Вт

202,10 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
90нКл

Монтаж:
THT

Напруга затвор-джерело:
±20В

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 600В; 10А; 30Вт

221,11 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Корпус:
TO220FP

Монтаж:
THT

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; 650В; 24А; 74Вт; TO3PF

282,56 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
45нКл

Корпус:
TO3PF

Монтаж:
THT