Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 38,5А; 417Вт; TO220AB

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: FDP61N20
134,31 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: FDP61N20
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 75нКл
Корпус: TO220AB
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 200В
Опір в стані провідності: 41мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 417Вт
Струм стока: 38,5А
Технологія: UniFET™
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; THT; 2мФ; 25ВDC; Ø16x39мм; -10÷30%
Конденсатор: електролітичний; THT; 2мФ; 25ВDC; Ø16x39мм; -10÷30%

172,96 грн

Виводи:
осьові
Висота:
39мм
Діаметр:
16мм
Допуск:
-10...30%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 470нФ; 25В; X7R; ±10%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 470нФ; 25В; X7R; ±10%; SMD; 0805

0,89 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
0,47мкФ
Недоступний
Резистор: metal film; 27кОм; THT; 2Вт; ±5%; MF; 500В; Ø5,5x16мм
Резистор: metal film; 27кОм; THT; 2Вт; ±5%; MF; 500В; Ø5,5x16мм

1,74 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
5,5мм
Довжина:
16мм
Допуск:
±5%
Недоступний
Резистор: thick film; 330Ом; 0603; 100мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 330Ом; 0603; 100мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C

0,03 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Опір:
330Ом
Недоступний
Вентилятор: DC; 70x70x25мм; осьовий; 21,6÷26,4ВDC; 72,96м3/г
Вентилятор: DC; 70x70x25мм; осьовий; 21,6÷26,4ВDC; 72,96м3/г

0,00 грн

Виводи:
проводи x2
Вид вентилятора:
осьовий
Вид підшипника:
кульковий
Довжина відводів:
0,3м
Недоступний
Резистор: thin film; 16,9кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%; TC; 75В
Резистор: thin film; 16,9кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%; TC; 75В

0,67 грн

Допуск:
±0,5%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 28А; Idm: 100А; 143Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 28А; Idm: 100А; 143Вт

446,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
56нКл
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M6; польовий; 900В; 9А; Idm: 60А; 30Вт
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M6; польовий; 900В; 9А; Idm: 60А; 30Вт

262,29 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
29,7нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 11А; Idm: 53А; 20Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 11А; Idm: 53А; 20Вт; TO220FP

110,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
25нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 7А; Idm: 28А; 79Вт
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 7А; Idm: 28А; 79Вт

42,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 100В; 50А; Idm: 200А; 51Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 100В; 50А; Idm: 200А; 51Вт

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
114нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 50А; Idm: 140А; 333Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 50А; Idm: 140А; 333Вт

800,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
106нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 30А; Idm: 184А; 446Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 30А; Idm: 184А; 446Вт; TO247

771,03 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
92нКл
Корпус:
TO247