Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 38,5А; 417Вт; TO220AB

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: FDP61N20
134,31 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: FDP61N20
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 75нКл
Корпус: TO220AB
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 200В
Опір в стані провідності: 41мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 417Вт
Струм стока: 38,5А
Технологія: UniFET™
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; THT; 2мФ; 25ВDC; Ø16x39мм; -10÷30%
Конденсатор: електролітичний; THT; 2мФ; 25ВDC; Ø16x39мм; -10÷30%

172,96 грн

Виводи:
осьові
Висота:
39мм
Діаметр:
16мм
Допуск:
-10...30%
Недоступний
Блок живлення: імпульсний; для вбудовування,модульний; 300Вт
Блок живлення: імпульсний; для вбудовування,модульний; 300Вт

7702,75 грн

Вид блоку живлення:
для вбудовування; модульний
Вихідна напруга:
15В DC
Вихідний струм:
20А
Захист:
від короткого замикання SCP; проти короткого замикання OVP
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 470нФ; 50В; X8L; ±10%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 470нФ; 50В; X8L; ±10%; SMD; 0805

6,84 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Властивості конденсаторів:
soft termination
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
X8L
Недоступний
Провід: управління; chainflex® CF78.UL; 12G0,5мм2; сірий; тросик
Провід: управління; chainflex® CF78.UL; 12G0,5мм2; сірий; тросик

1002,28 грн

Bластивості проводів:
самонесучий
Iнформація:
Маркування UL лише на повній заводській упаковці
Будова екрану:
екранований; обплітка з луджених мідних дротів
Будова жили:
тросик
Резистор: thick film; 1кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 1кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; 200В; -55÷155°C

0,15 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Монтаж:
SMD
Недоступний
Кабель; 0,61м; BNC "папа",з обох сторін; прямий; 75Ом
Кабель; 0,61м; BNC "папа",з обох сторін; прямий; 75Ом

1424,23 грн

Вид кабелю:
Belden 4855R
Довжина кабелю:
0,61м
Імпеданс:
75Ом
Конструкція кабелю/переходу:
BNC "папа"; з обох сторін
Недоступний
Резистор: thick film; 604Ом; SMD; 0805; 250мВт; ±0,1%; ERJPC6B
Резистор: thick film; 604Ом; SMD; 0805; 250мВт; ±0,1%; ERJPC6B

1,93 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 29А; Idm: 173А; 1135Вт; TO264
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 29А; Idm: 173А; 1135Вт; TO264

1021,29 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
305нКл
Корпус:
TO264
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 26А; Idm: 90А; 200Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 26А; Idm: 90А; 200Вт

508,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
64нКл
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 10А; Idm: 40А
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 10А; Idm: 40А

58,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 8А; Idm: 32А; 65Вт
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 8А; Idm: 32А; 65Вт

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 75В; 66А; Idm: 264А; 51Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 75В; 66А; Idm: 264А; 51Вт

72,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
115нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 43А; Idm: 160А; 438Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 43А; Idm: 160А; 438Вт

1562,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
182нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 10,1А; Idm: 48А; 167Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 10,1А; Idm: 48А; 167Вт

221,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
70нКл
Корпус:
TO220AB