Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; польовий; 600В; 14А; Idm: 84А

Name: Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; польовий; 600В; 14А; Idm: 84А
Brand: STMicroelectronics
SKU: STP28N60DM2
Price: 227.45 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: STP28N60DM2

227,45 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Код товару:

STP28N60DM2

Виробник:

STMicroelectronics

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

туба

Заряд затвора:

34нКл

Корпус:

TO220-3

Монтаж:

THT

Напруга затвор-джерело:

±25В

Напруга сток-джерело:

600В

Опір в стані провідності:

0,16Ом

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

170Вт

Струм стока:

14А

Струм стоку в імпульсі:

84А

Технологія:

MDmesh™ DM2

Тип транзистора:

N-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 28А; Idm: 100А; 143Вт

488,47 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
56нКл

Корпус:
TO247-3

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; польовий; 600В; 7А; Idm: 44А

138,11 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
19нКл

Корпус:
TO220FP

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 6А; Idm: 24А

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
розсипний

Заряд затвора:
15нКл

Корпус:
FTO-220AG (SC91)

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 120В; 40А; Idm: 160А; 51Вт

63,99 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
розсипний

Заряд затвора:
117нКл

Корпус:
FTO-220AG (SC91)

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 50А; Idm: 140А; 333Вт

871,14 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
106нКл

Корпус:
TO247-3

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 26А; Idm: 36А; 460Вт; TO220AB

447,92 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
45нКл

Корпус:
TO220AB

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 8А; Idm: 52А; 48Вт; TO220FP

221,11 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
56нКл

Корпус:
TO220FP