Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; польовий; 650В; 20А; Idm: 90А

Name: Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; польовий; 650В; 20А; Idm: 90А
Brand: STMicroelectronics
SKU: STP35N65DM2
Price: 260.39 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: STP35N65DM2

260,39 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Код товару:

STP35N65DM2

Виробник:

STMicroelectronics

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

туба

Заряд затвора:

56,3нКл

Корпус:

TO220-3

Монтаж:

THT

Напруга затвор-джерело:

±25В

Напруга сток-джерело:

650В

Опір в стані провідності:

0,11Ом

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

250Вт

Струм стока:

20А

Струм стоку в імпульсі:

90А

Технологія:

MDmesh™ DM2

Тип транзистора:

N-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 47А; 415Вт; PG-TO247-3

594,27 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Корпус:
PG-TO247-3

Монтаж:
THT

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 34А; 46Вт; TO220FP

191,97 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Корпус:
TO220FP

Монтаж:
THT

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 125А; 136Вт; TO220-3

100,74 грн

Заряд затвора:
69нКл

Корпус:
TO220-3

Монтаж:
THT

Напруга сток-джерело:
30В

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 75А; 285Вт; TO247

185,63 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
7нКл

Корпус:
TO247

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 14,9А; 310Вт; TO3PN

321,21 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
145нКл

Корпус:
TO3PN

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 21Вт; TO220FP

121,64 грн

Заряд затвора:
5,7нКл

Корпус:
TO220FP

Монтаж:
THT

Поляризація:
польовий

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 120мА; Idm: 0,5А; 1Вт; TO92

46,88 грн

Вид каналу:
збіднений

Вид упаковки:
розсипний

Корпус:
TO92

Монтаж:
THT