1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ K5; польовий; 800В; 2,3А; Idm: 16А

Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ K5; польовий; 800В; 2,3А; Idm: 16А
Немає в наявності
Код товару: STD5N80K5
40,55 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: STD5N80K5
Виробник: STMicroelectronics
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: DPAK
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 800В
Опір в стані провідності: 1,75Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 60Вт
Струм стока: 2,3А
Струм стоку в імпульсі: 16А
Технологія: MDmesh™ K5
Тип транзистора: N-MOSFET
Для проводу; вилка; Покриття: позолочений; IDC; прямий; -40÷75°C
Для проводу; вилка; Покриття: позолочений; IDC; прямий; -40÷75°C

345,29 грн

Електричний монтаж:
IDC
Механічний монтаж:
для проводу
Покриття контакту:
позолочений
Просторова орієнтація:
прямий
Недоступний
Резистор: thick film; 9,53Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 9,53Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,33 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330нФ; 100В; X7R; ±5%; SMD; 1812
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330нФ; 100В; X7R; ±5%; SMD; 1812

14,13 грн

Alias:
KGM43BR72A334JV
Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Недоступний
Резистор: thick film; 210кОм; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; 200В
Резистор: thick film; 210кОм; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; 200В

0,79 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Недоступний
Радіатор: теплова труба; пласкі; натуральний; L: 70мм; мідь; сирий
Радіатор: теплова труба; пласкі; натуральний; L: 70мм; мідь; сирий

586,04 грн

Довжина:
70мм
Ефективна довжина:
52,5мм
Колір:
натуральний
Матеріал:
мідь
Недоступний
Резистор: thick film; 39Ом; 2010; 750мВт; ±1%; 400В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 39Ом; 2010; 750мВт; ±1%; 400В; -55÷155°C

5,45 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Недоступний
Резистор: thin film; 330Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; TC; 200В
Резистор: thin film; 330Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; TC; 200В

0,65 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3225
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 80А; 242Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 80А; 242Вт; D2PAK

203,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
135нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 1,9А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 1,9А; 0,5Вт; SuperSOT-3

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
5,9нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,8А; 57Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,8А; 57Вт; TO252

38,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6,7нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9,8А; 50Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9,8А; 50Вт; DPAK

83,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
18нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 16А; 90Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 16А; 90Вт; DPAK

138,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
62нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9А; 50Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9А; 50Вт; DPAK; ESD

88,70 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 21А; 100Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 21А; 100Вт; DPAK; ESD

89,33 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD