Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ V; польовий; 550В; 10А; 110Вт; ESD

Немає в наявності
Код товару: STP18N55M5
187,53 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: STP18N55M5
Виробник: STMicroelectronics
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Корпус: TO220-3
Модель: ESD
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±25В
Напруга сток-джерело: 550В
Опір в стані провідності: 192мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 110Вт
Струм стока: 10А
Технологія: MDmesh™ V
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Роз’єм: D-Sub; гніздо; гніздовий; PIN: 25; прямий; IDC; позолочений
Роз’єм: D-Sub; гніздо; гніздовий; PIN: 25; прямий; IDC; позолочений

775,47 грн

Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
IDC
Кількість пін:
25
Колір:
чорний
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 700В; 8А; 63Вт; TO251
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 700В; 8А; 63Вт; TO251

32,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO251
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 650В; 9А; 63Вт; TO262
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 650В; 9А; 63Вт; TO262

27,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO262
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 50А; 690Вт; TO247-3; 250нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 50А; 690Вт; TO247-3; 250нс

611,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
65нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; X2-Class; польовий; 650В; 12А; 180Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; X2-Class; польовий; 650В; 12А; 180Вт; TO220AB

285,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
18,5нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; X3-Class; польовий; 200В; 140А; 520Вт; TO3P
Транзистор: N-MOSFET; X3-Class; польовий; 200В; 140А; 520Вт; TO3P

600,61 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
127нКл
Корпус:
TO3P
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 90А; 150Вт; TO220AB; 37нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 90А; 150Вт; TO220AB; 37нс

194,50 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
thrench gate power mosfet
Заряд затвора:
42нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 30А; 170Вт; TO220AB; 82нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 30А; 170Вт; TO220AB; 82нс

349,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
ultra junction x-class
Заряд затвора:
21нКл