Транзистор: N-MOSFET; N; 1,2кВ; 12А; 250Вт; D2PAK,TO263AB; ESD

Немає в наявності
Код товару: STH13N120K5-2AG
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1000
Крок додавання: 1000
Код товару: STH13N120K5-2AG
Виробник: STMicroelectronics
Вид каналу: збагачений
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 44,2нКл
Корпус: D2PAK; TO263AB
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: 30В
Напруга сток-джерело: 1,2кВ
Опір в стані провідності: 620мОм
Поляризація: N
Потужність розсіювання: 250Вт
Струм стока: 12А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Ключ: шестигранний; HEX 10мм; Довж.заг: 234мм; довга
Ключ: шестигранний; HEX 10мм; Довж.заг: 234мм; довга

85,53 грн

Загальна довжина:
234мм
Матеріал:
хром-ванадієва сталь
Модель:
довга
Розмір ключа:
HEX 10мм
Роз’єм: живлення AC; роз'єм живлення; 6А; 250ВAC; HP; на панель
Роз’єм: живлення AC; роз'єм живлення; 6А; 250ВAC; HP; на панель

3350,87 грн

Connector family:
роз'єм живлення
Конструкція:
фільтр
Конфігурація контактів:
DPST
Механічний монтаж:
на панель
Перемикач: DIP-SWITCH; Кількість секцій: 8; OFF-ON; 0,025A/24ВDC
Перемикач: DIP-SWITCH; Кількість секцій: 8; OFF-ON; 0,025A/24ВDC

184,36 грн

Властивості перемикачів:
із ущільнюючою стрічкою; повзунок плоский
Електрична стійкість:
1000 цикли
Загальна довжина:
22,26мм
Кількість всіх позицій:
2
Недоступний
Резистор: thick film; 499кОм; SMD; 2010; 2Вт; ±1%; SP; 200В
Резистор: thick film; 499кОм; SMD; 2010; 2Вт; ±1%; SP; 200В

7,29 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 33нФ; 100В; X7R; ±5%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 33нФ; 100В; X7R; ±5%; SMD; 0805

1,13 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±5%
Ємність:
33нФ
Вимикач максимального струму; 230/400ВAC; Iном: 20А; Полюси: 1
Вимикач максимального струму; 230/400ВAC; Iном: 20А; Полюси: 1

200,20 грн

Відключаюча здатність кор. замикання:
6кА
Кількість полюсів:
1
Клас герметичності:
IP20
Монтаж:
на шину DIN
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 8,2мкГн; ±20%; PV; 7,1x6,6x2,8мм
Реактор: дротяний; SMD; 8,2мкГн; ±20%; PV; 7,1x6,6x2,8мм

10,20 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
8,2мкГн
Монтаж:
SMD
Розміри корпусу:
7,1x6,6x2,8мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 125Вт; DFN8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 125Вт; DFN8

277,50 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DFN8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 51А; 150Вт; TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 51А; 150Вт; TO263-7

679,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
94нКл
Корпус:
TO263-7
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 3,2А
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 3,2А

8,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
5,9нКл
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
20В
Транзистор: N-MOSFET; 25В; 96Вт
Транзистор: N-MOSFET; 25В; 96Вт

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
59нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 40А; Idm: 200А; 333Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 40А; Idm: 200А; 333Вт

287,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
143нКл
Транзистор: N-MOSFET; N; 800В; 10А; 83Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; N; 800В; 10А; 83Вт; DPAK

91,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
17,3нКл
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 1,7А; Idm: 6А; 25Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 1,7А; Idm: 6А; 25Вт

93,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
DPAK; TO252