Транзистор: N-MOSFET; N; 650В; 46А; 650Вт; TO247-3; 210нс

Немає в наявності
Код товару: IXFH46N65X2W
301,57 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 300
Крок додавання: 300
Код товару: IXFH46N65X2W
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 90нКл
Корпус: TO247-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: 30В
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 69мОм
Поляризація: N
Потужність розсіювання: 650Вт
Струм стока: 46А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 210нс
Кабель; USB 3.0; RJ45 вилка,USB A вилка; нікельований; 1,5м; Cu
Кабель; USB 3.0; RJ45 вилка,USB A вилка; нікельований; 1,5м; Cu

1005,45 грн

Будова екрану:
екранований; плівка Al
Вид жили:
Cu
Вид кабелю:
F/UTP
Вид проводу:
F/UTP
Недоступний
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; 0,3м; вилка; 30ВDC; 4А; 1200; PUR
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; 0,3м; вилка; 30ВDC; 4А; 1200; PUR

1289,92 грн

Довжина кабелю:
0,3м
Індикація:
LED
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP67
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100нФ; 16В; X5R; ±10%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100нФ; 16В; X5R; ±10%; SMD; 0201

0,30 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±10%
Недоступний
Провід; HELUTHERM® 145 MULTI; 10G0,75мм2; тросик; Cu; чорний
Провід; HELUTHERM® 145 MULTI; 10G0,75мм2; тросик; Cu; чорний

431,45 грн

Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Вид матеріалу:
негалогенний; не поширює полум'я
Недоступний
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 3,3В; 20нс; TSOP28; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 3,3В; 20нс; TSOP28; 0÷70°C

233,15 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP28
Монтаж:
SMD
Недоступний
Кристал; 8МГц; 12пФ; ±30ppm; ±3ppm/рік; 5x3,2x0,9мм; -40÷85°C
Кристал; 8МГц; 12пФ; ±30ppm; ±3ppm/рік; 5x3,2x0,9мм; -40÷85°C

10,39 грн

Довготривала стабільність:
±3ppm/рік
Ємність:
12пФ
Робоча температура:
-40...85°C
Розміри:
5x3,2x0,9мм
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 28; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 28; SMT; 3A; 250V

240,12 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
SMT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 4А; Idm: 20А; 43Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 4А; Idm: 20А; 43Вт; TO220AB

74,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
8,3нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 6,3А; Idm: 40А; 125Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 6,3А; Idm: 40А; 125Вт; TO220AB

133,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 160Вт; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 160Вт; TO247AC

137,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
110нКл
Корпус:
TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 17А; 45Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 17А; 45Вт; TO220AB

43,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
13,3нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 74А; Idm: 200А; 469Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 74А; Idm: 200А; 469Вт

1384,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
162нКл
Корпус:
TO247-4
Транзистор: N-JFET; польовий; 5мА; 0,625Вт; TO92; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 5мА; 0,625Вт; TO92; Igt: 50мА

26,61 грн

Вид упаковки:
розсипний
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
-35В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 5,7А; 115Вт; TO220-3; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 5,7А; 115Вт; TO220-3; ESD

169,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Модель:
ESD