Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 110А; Idm: 380А; 113,6Вт

Немає в наявності
Код товару: DI110N10PQ
43,72 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DI110N10PQ
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: QFN5x6
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 100В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 113,6Вт
Струм стока: 110А
Струм стоку в імпульсі: 380А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 3Вт; Uвх: 18÷36ВDC; Uвих: 15ВDC; Uвих.2: -15ВDC
Перетворювач: DC/DC; 3Вт; Uвх: 18÷36ВDC; Uвих: 15ВDC; Uвих.2: -15ВDC

1463,51 грн

Вихідна напруга:
15В DC
Вихідна напруга 2:
-15В DC
Вихідний струм:
0,1А
Вхідна напруга:
18...36В DC
Недоступний
Корпус для з’єднувачів: D-Sub; для проводу; прямий; екранований
Корпус для з’єднувачів: D-Sub; для проводу; прямий; екранований

1004,18 грн

Матеріал корпусу:
метал
Механічний монтаж:
для проводу
Модель роз’єму:
екранований
Просторова орієнтація:
прямий
Недоступний
Резистор: thin film; 124Ом; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,05%
Резистор: thin film; 124Ом; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,05%

14,51 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,05%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Варистор: керамічний; THT; 250ВAC; 320ВDC; 650В; 10кА; Ø: 21,5мм
Варистор: керамічний; THT; 250ВAC; 320ВDC; 650В; 10кА; Ø: 21,5мм

0,00 грн

Висота:
21,5мм
Діаметр:
21,5мм
Монтаж:
THT
Напруга варистора:
650В
Недоступний
Діод: випрямний; THT; 150В; 1А; Ifsm: 30А; DO41; cтрічка; Ufmax: 0,95В
Діод: випрямний; THT; 150В; 1А; Ifsm: 30А; DO41; cтрічка; Ufmax: 0,95В

6,34 грн

Вид упаковки:
cтрічка
Зворотна напруга макс.:
150В
Корпус:
DO41
Монтаж:
THT
Недоступний
Провід; ÖLFLEX® TRAIN HT 150 FF 1,8kV; силікон; 1x240мм2; тросик
Провід; ÖLFLEX® TRAIN HT 150 FF 1,8kV; силікон; 1x240мм2; тросик

5724,79 грн

Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Вид матеріалу:
негалогенний; не поширює полум'я
Недоступний
Резистор: thick film; 649Ом; SMD; 0603; 125мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 649Ом; SMD; 0603; 125мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,18 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±1%
Зовнішні розміри:
1,55x0,85x0,45мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1000В; 1,16А; 70Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1000В; 1,16А; 70Вт; DPAK; ESD

110,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 127А; 375Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 127А; 375Вт; D2PAK

218,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Заряд затвора:
143нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,125А; 360мВт; SOT23,TO236AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,125А; 360мВт; SOT23,TO236AB

8,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,51нКл
Корпус:
SOT23; TO236AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 30А; 12,5Вт; DFN5x6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 30А; 12,5Вт; DFN5x6

38,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
24нКл
Корпус:
DFN5x6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 60А; 63Вт; VSONP8; 3,3x3,3мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 60А; 63Вт; VSONP8; 3,3x3,3мм

86,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
VSONP8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 8А; 198Вт; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 8А; 198Вт; TO263

110,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
13,2нКл
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 67А; 33Вт; DFN5x6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 67А; 33Вт; DFN5x6

53,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
41нКл
Корпус:
DFN5x6
Монтаж:
SMD