Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 120А; Idm: 690А; 294Вт

Немає в наявності
Код товару: PSMN3R9-100YSFX
146,98 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: PSMN3R9-100YSFX
Виробник: NEXPERIA
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 0,12мкКл
Корпус: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 9,9мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 294Вт
Струм стока: 120А
Струм стоку в імпульсі: 690А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Захисна кришка; A; термопласт; Корпус: чорний; розмір 18
Захисна кришка; A; термопласт; Корпус: чорний; розмір 18

171,06 грн

Застосування роз’ємів:
гніздо
Колір корпусу:
чорний
Корпус:
розмір 18
Матеріал корпусу:
термопласт
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 5; SMT; 3A; 100V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 5; SMT; 3A; 100V

76,66 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
ролик
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 27; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 27; THT; straight

46,88 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
21,6мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Діод: TVS; 19,86В; двоспрямована; 0,5кВт; Ch: 1; -55÷175°C
Діод: TVS; 19,86В; двоспрямована; 0,5кВт; Ch: 1; -55÷175°C

604,41 грн

Зворотна напруга макс.:
16,7В
Кількість каналів:
1
Монтаж:
THT
Напруга пробою:
19,86В
Недоступний
Діод: TVS; 0,4кВт; 71,3В; 3,9А; односпрямована; DO41; BZW04
Діод: TVS; 0,4кВт; 71,3В; 3,9А; односпрямована; DO41; BZW04

29,78 грн

Зворотна напруга макс.:
64,1В
Корпус:
DO41
Монтаж:
THT
Напруга пробою:
71,3В
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 21; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 21; THT; 3A; 250V

365,56 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Резистор: thick film; 82кОм; 1210; 1Вт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 82кОм; 1210; 1Вт; ±1%; -55÷155°C

2,33 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1210
Корпус - мм:
3225
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5,2А; TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5,2А; TO263-7

269,26 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
8,9нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100мА; 0,15Вт; SOT523; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100мА; 0,15Вт; SOT523; ESD

14,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT523
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,2А; Idm: 10А; 0,4Вт; SOT23-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,2А; Idm: 10А; 0,4Вт; SOT23-3

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
8,6нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,4А; Idm: 8,8А; 2,8Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,4А; Idm: 8,8А; 2,8Вт

5,70 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
SOT23-3
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 10,5А; U-DFN2020-6
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 10,5А; U-DFN2020-6

14,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
52,6нКл
Корпус:
U-DFN2020-6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 100А; Idm: 565А; 211Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 100А; Idm: 565А; 211Вт

134,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
70,8нКл
Корпус:
D2PAK; SOT404
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 61А; Idm: 245А; 48Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 61А; Idm: 245А; 48Вт

53,22 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
7,9нКл
Корпус:
LFPAK56; PowerSO8; SOT669