Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1А; Idm: 4А; 1Вт; TSMT3

Немає в наявності
Код товару: RSR010N10FHATL
17,93 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3
Код товару: RSR010N10FHATL
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 3,5нКл
Корпус: TSMT3
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 0,58Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1Вт
Струм стока: 1А
Струм стоку в імпульсі: 4А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 14; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 14; THT; 3A; 250V

201,47 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 1812; 330мкГн; 95мА; R: 8,2Ом; ±5%; LQH; 180мм
Реактор: дротяний; SMD; 1812; 330мкГн; 95мА; R: 8,2Ом; ±5%; LQH; 180мм

5,89 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±5%
Індуктивність:
0,33мГн
Корпус - дюйм:
1812
Недоступний
Транзистор: PNP; біполярний; 45В; 0,1А; 200мВт; SC70,SOT323
Транзистор: PNP; біполярний; 45В; 0,1А; 200мВт; SC70,SOT323

5,70 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SC70; SOT323
Монтаж:
SMD
Напруги колектор-емітер:
45В
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 1.5mm; GKS-100; CuBe; 3N; push-in; 20mΩ
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 1.5mm; GKS-100; CuBe; 3N; push-in; 20mΩ

345,29 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
6,35мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні; самоочищення
Діаметр наконечника:
1,5мм
Недоступний
Резистор: thin film; 220кОм; SMD; MELF; 0207; 400мВт; ±1%; 300В
Резистор: thin film; 220кОм; SMD; MELF; 0207; 400мВт; ±1%; 300В

2,55 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
2,2мм
Довжина:
5,8мм
Допуск:
±1%
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 62; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 62; THT; 3A; 250V

626,58 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
20,7мм
Недоступний
IC: перетворювач А/D; Ch: 2; 16бит; 15sps; 2,7÷5,5В; SOIC8; туба
IC: перетворювач А/D; Ch: 2; 16бит; 15sps; 2,7÷5,5В; SOIC8; туба

144,45 грн

Вид входу:
differential; single-ended
Вид упаковки:
туба
Інтерфейс:
2-wire; I2C
Кількість каналів:
2
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5,2А; TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5,2А; TO263-7

269,26 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
8,9нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100мА; 0,15Вт; SOT523; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100мА; 0,15Вт; SOT523; ESD

14,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT523
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,2А; Idm: 10А; 0,4Вт; SOT23-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,2А; Idm: 10А; 0,4Вт; SOT23-3

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
8,6нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,4А; Idm: 8,8А; 2,8Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,4А; Idm: 8,8А; 2,8Вт

5,70 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
SOT23-3
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 10,5А; U-DFN2020-6
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 10,5А; U-DFN2020-6

14,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
52,6нКл
Корпус:
U-DFN2020-6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 100А; Idm: 565А; 211Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 100А; Idm: 565А; 211Вт

134,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
70,8нКл
Корпус:
D2PAK; SOT404
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 61А; Idm: 245А; 48Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 61А; Idm: 245А; 48Вт

53,22 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
7,9нКл
Корпус:
LFPAK56; PowerSO8; SOT669