Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 267А; Idm: 900А; 145Вт

Немає в наявності
Код товару: NTMTSC1D6N10MCTXG
224,91 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: NTMTSC1D6N10MCTXG
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 106нКл
Корпус: Power88
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 1,7мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 145Вт
Струм стока: 267А
Струм стоку в імпульсі: 900А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
IC: аналоговий перемикач; SPST-NO; Ch: 4; SO16; 7÷22В,13÷36В
IC: аналоговий перемикач; SPST-NO; Ch: 4; SO16; 7÷22В,13÷36В

32,12 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Кількість каналів:
4
Конфігурація виходу:
SPST-NO
Корпус:
SO16
Недоступний
Резистор: thick film; 374кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В
Резистор: thick film; 374кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В

15,84 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Недоступний
Викрутка: рукоятка викрутки; Morphos; 1/4"; 177мм; насадки
Викрутка: рукоятка викрутки; Morphos; 1/4"; 177мм; насадки

372,53 грн

Використання інструментів:
насадки
Властивості викруток:
захист від скачування; протиковзке покриття рукоятки; трикомпонентна рукоятка; фосфатована голівка
Загальна довжина:
177мм
Розмір гнізда тримача - дюйм:
1/4"
Недоступний
Кабель: до датчиків; гніздовий; M12 ALTW; IP68,IP69K; пластик
Кабель: до датчиків; гніздовий; M12 ALTW; IP68,IP69K; пластик

1054,87 грн

Вид роз’єму:
гніздовий
Довжина проводу:
2м
Ізоляційний матеріал проводу:
ПВХ
Клас герметичності:
IP68; IP69K
Свердло; для бетону; Ø: 8мм; L: 260мм; SDS-Plus®
Свердло; для бетону; Ø: 8мм; L: 260мм; SDS-Plus®

430,18 грн

Вид рукоятки:
SDS-Plus®
Використання інструментів:
бетон; камінь; цегляні матеріали
Діаметр свердла:
8мм
Довжина:
260мм
Резистор: thin film; 402Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; ERA3AEB
Резистор: thin film; 402Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; ERA3AEB

4,43 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 125Вт; DFN8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 125Вт; DFN8

277,50 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DFN8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 51А; 150Вт; TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 51А; 150Вт; TO263-7

679,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
94нКл
Корпус:
TO263-7
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 3,2А
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 3,2А

8,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
5,9нКл
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
20В
Транзистор: N-MOSFET; 25В; 96Вт
Транзистор: N-MOSFET; 25В; 96Вт

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
59нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 40А; Idm: 200А; 333Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 40А; Idm: 200А; 333Вт

287,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
143нКл
Транзистор: N-MOSFET; N; 800В; 10А; 83Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; N; 800В; 10А; 83Вт; DPAK

91,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
17,3нКл
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 1,7А; Idm: 6А; 25Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 1,7А; Idm: 6А; 25Вт

93,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
DPAK; TO252