Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 300А; Idm: 1200А; 277,7Вт

Немає в наявності
Код товару: DI300N10TL
174,86 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DI300N10TL
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: HSOF-8
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 100В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 277,7Вт
Струм стока: 300А
Струм стоку в імпульсі: 1,2кА
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Перемикач: кнопковий; Поз: 2; SPST; 0,001A/20ВDC; чорний; LP2; PCB
Перемикач: кнопковий; Поз: 2; SPST; 0,001A/20ВDC; чорний; LP2; PCB

127,34 грн

Виводи:
до лютування
Електрична стійкість:
300000 цикли
Кількість всіх позицій:
2
Колір кнопки:
чорний
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,8пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,8пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,12 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
4,8пФ
Недоступний
Резистор: thick film; 16Ом; SMD; 0603; 125мВт; ±1%; ERJH3EF
Резистор: thick film; 16Ом; SMD; 0603; 125мВт; ±1%; ERJH3EF

1,53 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; low ESR; SMD; 150мкФ; 35ВDC; Ø8x10мм
Конденсатор: електролітичний; low ESR; SMD; 150мкФ; 35ВDC; Ø8x10мм

14,25 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Висота:
10мм
Діаметр:
8мм
Допуск:
±20%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 30пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 30пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0201

0,11 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Резистор: thick film; 220кОм; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; 100ppm/°C
Резистор: thick film; 220кОм; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; 100ppm/°C

3,64 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Опір:
220кОм
Резистор: thick film; 100Ом; SMD; 2010; 0,75Вт; ±1%; CQ; 200В
Резистор: thick film; 100Ом; SMD; 2010; 0,75Вт; ±1%; CQ; 200В

4,75 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 21Вт; DFN3.3x3.3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 21Вт; DFN3.3x3.3

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
DFN3.3x3.3
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 9Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 9Вт; DFN3x3 EP

13,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А

134,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
153нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 20,7А; 208Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 20,7А; 208Вт; PG-TO263-3

193,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-JFET; польовий; 900мкА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 900мкА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА

21,54 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-40В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 2,5А; 22,7Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 2,5А; 22,7Вт; PG-TO252-3

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±16В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 28А; 250Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 28А; 250Вт; D2PAK

156,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
50нКл
Корпус:
D2PAK