Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 31А; Idm: 159А; 24Вт; LFPAK56

Немає в наявності
Код товару: NVMYS021N10MCLTWG
86,16 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: NVMYS021N10MCLTWG
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 13нКл
Корпус: LFPAK56
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 23мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 24Вт
Струм стока: 31А
Струм стоку в імпульсі: 159А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 12кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,5%; TC; 150В
Резистор: thin film; 12кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,5%; TC; 150В

0,70 грн

Допуск:
±0,5%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 390пФ; 100В; X8G; ±5%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 390пФ; 100В; X8G; ±5%; SMD; 0603

0,65 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X8G
Допуск:
±5%
Недоступний
Обійма; під круглий провід; Вим: 258x224x295мм; trefoil; -40÷60°C
Обійма; під круглий провід; Вим: 258x224x295мм; trefoil; -40÷60°C

1723,90 грн

Вживання кабельних аксесуарів:
під круглий провід
Відповідність стандарту:
IEC 61914-2021
Діаметр проводу:
103...111мм
Матеріал:
нержавіюча сталь
Connector: pin strips; male; data; PIN: 4; soldering,THT; Inom: 3A
Connector: pin strips; male; data; PIN: 4; soldering,THT; Inom: 3A

62,72 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
THT; паяння
Загальна довжина:
4,67мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,5пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,5пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

4,75 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
9,5пФ
Недоступний
Резистор: thick film; 105Ом; 1210; 500мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C; 2А
Резистор: thick film; 105Ом; 1210; 500мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C; 2А

0,29 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1210
Корпус - мм:
3225
Опір:
105Ом
Недоступний
Резистор: thick film; 604кОм; 0603; 100мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 604кОм; 0603; 100мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C

0,03 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Опір:
604кОм
Транзистор: N-MOSFET; польовий
Транзистор: N-MOSFET; польовий

8,87 грн

Монтаж:
SMD
Поляризація:
польовий
Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; 30В; 84А
Транзистор: N-MOSFET; 30В; 84А

23,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
21нКл
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
30В
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 19А; 114Вт
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 19А; 114Вт

145,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
33нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±30В
Транзистор: N-JFET; 600В; PG-DSO-20
Транзистор: N-JFET; 600В; PG-DSO-20

896,48 грн

Корпус:
PG-DSO-20
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
600В
Опір в стані провідності:
35мОм
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 4,5А; 1Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 4,5А; 1Вт; SOT23

31,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 5,3А; 1,3Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 5,3А; 1,3Вт; SOT23

22,17 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 18А; 150Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 18А; 150Вт; D2PAK

105,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD